大晶粒多晶硅片及电池片光衰分析说明稿.pptVIP

大晶粒多晶硅片及电池片光衰分析 电池研发 余可 2011年06月 实验概述 1 实验内容：分析大晶粒多晶硅片及电池片光衰； 实验仪器：34线RENA制绒、WT2000-PVN、3D显微 镜、MS203、2线 Berger测试机、光衰仪； 实验样品：掺B单晶硅片、 V级掺B大晶粒多晶硅片、 M级掺B大晶粒多晶硅片、大晶粒面积占50%的掺B多晶硅片；1档~12档2线大晶粒多晶硅电池片； 大颗粒多晶硅片光衰分析 实验流程 2 光衰光强：~10倍标准光强 光衰总时间：24h 单晶硅片绒面 凹坑深度 ~2.35μm M级硅片绒面 凹坑深度 ~2.65μm 50%大晶粒硅片 绒面 凹坑深度 ~2.61μm V级硅片绒面 凹坑深度 ~2.66μm 3D显微镜绒面形貌 3 大晶粒多晶硅片制绒片 4 M级酸制绒片 50%大晶粒面积酸制绒片 V级酸制绒片 M级大颗粒多晶硅片光衰减WT2000少子寿命图 5 制绒片 ~2.322μs 光衰2h ~1.81μs 光衰4h ~