半导体物理学第5章.ppt

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 过剩载流子和电中性 小注入条件 小注入条件 非平衡载流子寿命 假定光照产生 和 ，如果光突然关闭， 和 将随时间逐渐衰减直至0，衰减的时间常数称为寿命 ，也常称为少数载流子寿命 单位时间内非平衡载流子的复合概率 非平衡载流子的复合率 准费米能级 复合 直接复合 间接复合 Auger复合 产生 直接产生 R-G中心产生 载流子产生 与碰撞电离 陷阱效应 当半导体处于非平衡态时，杂质能级具有积累非平衡载流子的作用，即具有一定的陷阱效应 所有杂质能级都具有陷阱效应 具有显著陷阱效应的杂质能级称为陷阱；相应的杂质和缺陷称为陷阱中心 杂质能级与平衡时的费米能级重合时，最有利于陷阱作用 （禁带宽度小的半导体材料） （窄禁带半导体及高温情况下） （具有深能级杂质的半导体材料） * 平衡载流子满足费米－狄拉克统计分布 过剩载流子不满足费米－狄拉克统计分布 且公式 不成立 载流子的产生和复合：电子和空穴增加和消失的过程 过剩载流子 平衡时 过剩载流子 电中性： 小注入条件：注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小的多 N型材料 P型材料 例：室温下一受到微扰的掺杂硅， 判断其是否满足小注入条件？ 解： 满足小注入条件！（ ） 注：（1）即使在小注入的情况下，非平衡少数载流子浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大的多 （2）非平衡少数载流子起重要作用，非平衡载流子都指非平衡少数载流子 当半导体的热平衡状态被打破时，新的热平衡状态可通过热跃迁实现，但导带和价带间的热跃迁较稀少 导带和价带各自处于平衡态，因此存在导带费米能级和价带费米能级，称其为“准费米能级” *