第章光刻演示课件讲稿.ppt

光的衍射 当光穿过一个小孔或经过一个轮廓分明的边缘时，沿小孔边缘产生了干涉图形，结果得到了一个模糊的图像，这种现象称为衍射。 波长越大 小孔尺寸越小 衍射越明显 光的衍射 衍射光强度随衍射角的变化由小孔图形的傅里叶变化决定（平行光假设，远场条件） 光的衍射 方形小孔的衍射图像（接触孔） 透镜 透镜是一种光学元件，来自物体的光并通过它折射形成物体的像。 光通过透镜聚焦相当于做一次傅里叶变换。例如平行光聚焦成一个点。 光通过掩膜版小孔图形衍射进行第一次傅里叶变换，再通过透镜聚焦进行第二次傅里叶变换，掩膜版图形在硅片上成像。 曝 光 机 光 学 系 统 数值孔径（NA） 透镜能够把一些衍射光会聚到一点成像，透镜收集衍射光的能力称为透镜的数值孔径。傅里叶高阶分量衍射光的损失会影响成像对比度。 n为图像介质的折射率（空气为1） θm为主光轴与透镜边缘光线的最大夹角。 透镜半径越大数值孔径越大成像效果越好，但受到镜头成本的限制。 分步重复光刻机和步进扫描光刻机的NA都能做到0.60～0.68的水平 数值孔径（NA） 数值孔径 分辨率（R） 分辨率是将硅片上两个相邻的关键尺寸图形区分开的能力。分辨率是光刻中一个重要的性能指标。 k为工艺因子，范围是0.6～0.8 λ为光源的波长 NA为曝光系统的数值孔径 提高分辨率的方法 减小工艺因子k：先进曝光技术 减小光源的波长：汞灯?准分子激光（?等离子体） 增大介质折射率：浸入式曝光 增大θm：增大透镜半径、减小焦距 图中分辨率为0.25μm 焦深（DOF） 焦深是焦点上下的一个范围，在这个范围内图像连续保持清晰。焦深类似照相的景深，集成电路光刻中的景深很小，一般在1.0μm左右。 焦深限制光刻胶厚度，并要求表面平坦化 焦深 从焦深公式中看出提高分辨率降低了焦深，两个参数互相制约。 分辨率和焦深是现代分步重复光刻机或步进扫描光刻机非常重要的参数 套准精度 套准精度是掩膜版上的图形与硅片上的图形的对准程度。 根据光刻的要求，版上的图形与片上图形要精确对准。套准精度也是光刻中一个重要的性能指标。套准精度一般是特征尺寸的1/5 ~ 1/4 套准精度 套准精度与曝光前的对准步骤相关 好的套准精度可以有更宽松的版图设计规则，从而减小器件尺寸 光刻质量监控图形 光刻质量监控图形 光刻质量监控图形 光刻质量监控图形 光刻质量监控图形 最大曝光场（步进光刻机） 一般来说，曝光视场决定了最大芯片面积。 投影缩小越大，制版要求越低，曝光视场越小。 光刻中的非理想效应 1. 光刻胶对比度差引起的梯形剖面（非常普遍） 正胶 负胶 2. 表面不平坦：不能同时聚焦引起的线宽变化 2. 表面不平坦：台阶处不完全曝光 可通过增加曝光时间过曝光解决，影响分辨率 台阶处光刻胶胶厚 3. 表面反射：驻波效应 入射光和反射光发生干涉并引起光刻胶在厚度方向上的不均匀曝光，这种现象称为驻波效应。深紫外光刻胶由于反射严重驻波效应严重。 光刻胶中的驻波效应 驻波效应降低了光刻胶成像的分辨率，影响线宽的控制。 3. 表面反射：底部切入（较少见） 涂胶模块 示意图 光刻胶厚度 k约等于100 p是光刻胶中固体含量百分比（p越大粘度越大） ω是涂胶的旋转转速 光刻胶越厚，台阶覆盖和抗刻蚀性能越好，但分辨率越差，一般厚度1微米左右。 光刻胶旋转速度曲线 3. 软烘（Soft Bake） 工艺目的：去除光刻胶中的溶剂 改善胶的粘附性 优化胶的光吸收特性和显影能力 缓解涂胶时产生的应力 防止曝光时挥发污染设备。 溶剂含量 65%~85% 10%~20% 4%~7% 涂胶前 涂胶后 软烘后 工艺方法：热板烘烤 温度：85oC到120oC 时间：30秒到60秒 特点：光刻胶底部溶剂先挥发，避免气泡 每次一片，适合自动轨道流水作业 自动涂胶/显影系统设备－热板 软烘不当的后果 温度过高或时间过长： 光刻胶光敏感度降低 温度过低或时间不够： 光刻胶显影选择比下降 4. 对准和曝光（Align and Exposure） 对准曝光系统分为两大类：接触式对准曝光系统和投影式对准曝光系统。 接触式对准曝光系统简单、相对便宜，硅片上图形与掩膜版完全相同 接触式曝光 易损坏掩膜版 接近式曝光 掩膜版寿命长、分辨率差 投影式曝光是集成电路主流工艺 可实现4倍到10倍的图形缩小，分辨率高 投影式对准曝光系统组成 1. 紫外光源 2. 光学系统 3. 投影掩膜版 4