电子电器产品失效分析技术方案培训.pptVIP

1 电子电器产品失效分析技术 2 目 录 3 （1）、失效定义 1、 特性剧烈或缓慢变化； 2 、不能正常工作； （2）、失效种类 1 、致命性失效：如过电应力损伤； 2 、缓慢退化：如MESFET的IDSS下降； 3 、间歇失效：如塑封器件随温度变化间歇失效。 （一）、失效分析的基本概念 4 ■ 定 义：研究电子元器件失效机理的学科 ■ 失效机理：失效的物理化学根源 ■ 举 例：金属电迁移 （二）、失效物理的概念 5 ▼ 失效模式：金属互连线电阻值增大或开路； ▼ 失效机理：电子风效应； ▼ 产生条件：电流密度大于10E5A/cm2； ▼ 纠正措施：高温淀积，增加铝颗粒直径，掺铜，降低工作温度，减少 阶梯，铜互连、平面化工艺。 金属电迁移 6 1、失效分析： 确定产品的失效模式、失效机理，提出纠正措施，防止失效 重复出现； 2、可靠性评价： 根据失效物理模型，确定模拟试验方法，评价产品的可靠性。 （三）、失效物理的用途 10 ◆ 应力－强度模型与断裂力学模型相似，不考虑激活能和时间效应，适 用于偶然失效和致命性失效，失效过程短，特性变化快，属剧烈变 化 ，失效现象明显； ◆ 应力－时间模型（反应论模型）与牛顿力学模型相似，考虑激活 时间效应，适用于缓慢退化，失效现象不明显。 失效物理模型小结 11 求激活能E： Ln L1 Ln L2 1/T2 1/T1 B 应力-时间模型的应用：预计元器件平均寿命 12 求加速系数F： 设定高温为T1，低温为T2，可求出F。 预计平均寿命的方法 13 由高温寿命L1推算常温寿命L2 F=L2/L1 对指数分布 L1=MTTF=1/λ λ失效率 14 1、内容：从室温算起，温度每升高10度，寿命减半。 2、应用举例：推算铝电解电容寿命 105C， 寿命1000h（标称值） 55C, 寿命1000X2E5=32000h 35C， 寿命1000X2E7=128000h =128000/365/24=14.81年 温度应力－时间模型的简化：十度法则 15 1、 失效物理的定义： 研究电子元器件失效机理的学科。 2、 失效物理的用途： A、失效分析：确定产品的失效模式、失效机理，提出纠正措 施，防止失效重复出现； B、可靠性评价：根据失效物理模型，确定模拟试验方法，评价 产品的可靠性。 （五）、小结 16 目 录 17 失效的表现形式叫失效模式。 按电测结果分类： A、开路、 B、短路或漏电、 C、参数漂移、 D、功能失效 失效模式的概念 18 ■ 失效的物理化学根源叫失效机理。 ■ 开路的可能失效机理：过电烧毁、静电损伤、金属电迁移、金属的电 化学腐蚀、压焊点脱落、CMOS电路的闩锁效应 ■ 漏电和短路的可能失效机理：颗粒引发短路、介质击穿、pn微等离子 击穿、Si-Al互熔 ■ 参数漂移的可能失效机理：封装内水汽凝结、介质的离子沾污、欧姆接 触退化、金属电迁移、辐射损伤 失效机理的概念 19 ◆ 失效模式与材料、设计、工艺的关系 ◆ 失效模式与环境应力的关系 环境应力包括：过电、温度、湿度、机械应力、静电、重复应力 ◆ 失效模式与时间的关系 失效机理的内容 20 1、电参数漂移； 2、外引线腐蚀； 3、金属化腐蚀； 4、金属半导体接触退化。 水汽对电子元器件的影响 21 参数漂移、软失效 例：n沟道MOS器件阈值电压减小 辐射对电子元器件的影响 22 过电：pn结烧毁、电源内引线烧毁、电源金属化烧毁 静电：MOS器件氧化层击穿、输入保护电路潜在损伤或烧毁 热：键合失效、Al-Si互溶、pn结漏电 热电：金属电迁移、欧姆接触退化 高低温：芯片断裂、芯片粘接失效 低温：芯片断裂 失效应力与失效模式的相关性 23 早期失效：设计失误、工艺缺陷、材料缺陷、筛选不充