《大学分析化学教学课件》第四节 沉淀的污染和纯化.ppt

* * 第四节 沉淀的污染和纯化 沉淀污染的原因：共沉淀和后沉淀 共沉淀：当待测组分沉淀析出时，可溶性杂质也同时被沉淀下来。 后沉淀：在被测组分沉淀结束后，杂质有沉积在沉淀表面的现象 减少吸附的方法：①加热溶液 ②洗涤沉淀③减小比表面积。 沉淀对杂质离子的吸附选择性：扩散层中能与构晶离子形成难溶盐或难电离化合物的离子优先被吸附，价数高、浓度大的离子易被吸附。 吸附顺序：先吸附构晶离子形成吸附层，再吸附抗衡离子形成扩散层。吸附层和扩散层组成的双电层能随沉淀颗粒析出。见图9-2 产生原因：晶体表面的构晶离子具有剩余价力 一、共沉淀 （一）吸附共沉淀 （二）形成混晶 杂质离子与构晶离子半径相近时，晶格结点被杂质离子占据而形成相同晶格结构的混晶，如PbSO4和BaSO4，BaCrO4和BaSO4，KMnO4和BaSO4， 消除方法：分离除去杂质。 （三）包藏作用 产生原因：由于沉淀生成得太快，被吸附杂质或母液被覆盖在沉淀内部而造成的共沉淀现象。 消除方法：陈化或重结晶 二、后沉淀 在被测组分沉淀结束后，杂质又沉积在沉淀表面的现象叫后沉淀。 例如在稀酸条件下用H2S沉淀Cu2+和Zn 2+混合溶液中的Cu2+, ZnS易产生后沉淀。