射频等离子体放电制备DLCMo-DLC膜的性质研究.pdfVIP

射频等离子体制备DLC／Mo．DLC膜的性质研究 中文摘要 中文摘要 类金刚石薄膜(diamond．1ikecarbon，简称DLC)具有诸如：高硬度、低摩擦系 数、极高的电阻率等许多优良的特性而引起了人们广泛的兴趣。但在某些方面DLC 膜还存在着缺陷如：内应力大、热稳定性差、与许多衬底的附着性差。为了改善DLC 膜的性能，掺金属的类金刚石薄膜从而成为人们研究的重点。 本论文采用了双射频激发容性耦合等离子体增强化学气相沉积技术，高频运用 40．68 3．56 MHz；低频运用1MHz，以舡和CH4为源气体在硅和BK7玻璃衬底上制 备了DLC膜，研究了等离子体放电参数(高低频功率、气压、流量比)对薄膜结构 和性能的影响。同时，也运用了射频磁控溅射方法，以镶嵌有钼的高纯石墨为靶材、 等对DLC膜的结构和性能进行了研究。结果显示，薄膜的沉积速率随着高低频功率 的增加而上升，薄膜的光学带隙呈现相反的变化趋势。拉曼测试结果表明，在低频自 偏压为．150 V时，薄膜中具有最大的s矿含量，ID／16最小；高频功率的上升导致薄膜 的ID／IG持续的增大。AFM图