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基于全桥驱动器IC的HID灯电子镇流器 2005年3月’ks-9照明第29卷第1期 基于全桥驱动器IC的HID灯电子镇流器 毛兴武 (山东l临沂电子研究所,临沂276004) 摘要:简要介绍了HID灯对电子镇流器的性能要求,给出了高压点火和抑制声共振关键技术的 解决方及基于全桥驱动器IC的HID灯实际驱动器电路. 关键词:HID灯;电子镇流器;全桥驱动器芯片;点火器 1引言 高强度放电(HID)灯包括金卤灯(MHL)和高压 钠(HPS)灯等,它们都是新一代节能电光源,已广泛 用于道路,铁路,码头,机场,矿山,厂房,广场,体育 馆,会展中心,商场和宾馆酒楼等场所的照明. 自进入20世纪90年代中期以来,国内有很多 致力于HID灯电子镇流器的研发,但真正成功者甚 少.造成这种局面的原因主要是设计人员没有掌握 HID灯的特性,沿用了普通荧光灯交流电子镇流器 的设计方案,步入了误区.与此同时,一些研发人员 信息闭塞,不了解该产品在国外的发展动态和用于 该产品的一些新型元器件(包括专用IC)及采购渠 道,致使有些设计方案尽管可行,但得不到实施. 2HID灯的主要特点 HID灯是高压放电灯,其结构和工作机理与荧 光灯等低压放电灯是不同的. HID灯的启动要比低压放电灯困难得多,在通 常情况下,Hm灯的点火电压达4—5KV.若HID灯 在燃点熄灭接着重新触发(即所谓”热态”下点火), 所需要的电压往往达25KV.同时,从灯点火到正常 燃点还有一个过渡阶段.该过渡阶段又分为接续 (take—over)阶段和电压升高(run—up)过程.在灯 点火之后不到lms的时间内,灯管击穿,灯电压仅为 其额定值的25%左右(约20V),形成灯导通沟道. 尔后,灯电压逐渐升高到其正常工作值(约85V),使 灯进入燃点阶段.灯电压抬高过程历程约2分钟, 具体时间因灯管不同而存在差别.在灯点火到正常 燃点的过渡阶段中,若灯电流太小,灯会熄弧;但如 ? 50? 果灯电流过大,易使电极熔化. 在灯燃点过程中,为防止两个电极的温度不同, HID灯被设计用AC电流驱动.荧光灯交流电子镇 流器大多在40±5kHz下的高频下工作,而Hm灯若 在10kHz以上(直至1MHz)的频率上工作,会发生声 共振,并会对灯的使用寿命造成影响.Hm灯的工 作频率若在10kHz以下,则可以避免声共振发生. 目前在HID灯驱动电路设计中,大多将其工作频率 设置在100～400Hz. 鉴于HID灯的特性,并与普通荧光灯交流电子 镇流器相比较,灯点火电路设计和防止声频共振是 HID灯电子镇流器的两大关键技术. 3HID灯点火器及其点火元件 HID灯点火器也称作启动器或触发器,它实际 上是一个高压产生器.荧光灯启电路大多采用LC 串联谐振网络,在LC电路发生串联谐振时,在并接 于灯管两端的启动电容上产生1KV左右的高压脉 冲,使灯管击穿而引燃.该方案并不适合于Hm灯, 原因是此法难以产生4KV以上的高压,并且小体积 和小容量(≤0.1)的电容,不可以承受如此高的电 压. HID灯启动电路通常由带折返式伏安(V—I)特 性(即负阻特性)的元件和升压式变压器组成.其 中,带折返式伏安特性的元件主要采用晶闸管结构, 并且有许多称谓,例如有的叫硅转折(break—over)二 极管,有的叫双向开关二极管(Diae),还有的称为硅 双向开关(Sidae).这类器件件采用TO一92和TO一 220等封装,图形符号和伏安特性如图1所示.从其 I—v特性曲线可以看出,当施加到器件上的电压达 2005年3月灯与照明第29卷第1期 到击穿值VBo后,电流急剧增大.在导通电流ITM下, 器件的电压降VTM仅约1.5V.一旦通过器件的电流 降至维持电流I(约100mA)以下,器件则由导通跃 变到高阻截止状态.此类器件除用于HID灯点火电 路外,主要用作浪涌电压保护器.这种折返式晶闸 管器件的击穿电压从几伏到数百伏,有纳秒级的反 应速度,耐瞬间冲击电流容量从50A到30o0A. (a)网形符弓 Vf 工l+J lr,I—— l,I lI”}●●- —,lR_-●- 一 1r—,lr,IvlI,IVI”‘ f l(一) ㈤折返式伏,奠特性 图1折返式晶闸管器件图形符号及伏一安特性 MTl LICOI// /i厂— \触发{}};l\\ 关 Il MT2 3 符弓 图2LIOI点火器件内部结构及图形符号 还有一类带折返式伏安特性的器件并不是分立 元件,而是集成电路.像sT公司生产的L101系列 HID灯点火器件就属于这种类型,其内部结构及图 形符号如图2所示.LIC01的击穿电压为195— 255V,开通态电流ITM=1.2A,开通态压降VnIlt;5V, 重复浪涌峰值导通态电流ITR达±50A,维持电流 IH≥50mAo