用于相变存储器的新型器件和新型相变材料研究.pdfVIP

摘要 摘要 随着目前非挥发存储器的主要代表Flash在存储器市场大行其道，作为下一 代非挥发存储器的候选者们也成为了人们当前关注的焦点之一。其中主要的候选 和相变存储器(PRAM)。其中，相变存储器以单元面积小、与传统CMOSI艺 兼容性好、易于继续缩小、具有多值编写能力以及抗干扰抗辐射能力强等优点脱 体内存学会上称“32nm以后是相变存储器的时代”。 要更大尺寸的栅宽，并导致驱动电路占用了更大的芯片面积，这是不希望见到的。 通常的解决办法就是减小相变材料和存储电路的特征尺寸，或者提高相交材料的 电阻率，或者使用二极管制造驱动管。然而由于第一和第三种方法需要在成本更 高的工艺条件下进行，所以对于现有的存储器生产并没有很大的优势。 针对目前PRAM的问题，本文提出了一种全新的存储器件概念，它可以实现 低成本多值存储。这种基于薄膜晶体管的存储单元，通过半导体层部分材料的相 变来改变沟道长度从而实现多植存储；而且，由于薄膜晶体管不需要占用硅表面， 所以可以使用层叠立体结构以实现高密度存储，而将有限的硅衬底面积让给外围 电路。同时，本文也创新性的提出一种提高相变材料晶态电阻率的方法，通过将 Si、N共掺到GST中，