hdh[工学]第一章_绪论_329703146.pdf

微电子工艺技术 岳瑞峰 微纳器件与系统研究室 清华大学微电子学研究所 yuerf@mail.tsinghua.edu.cn 1 1 课 程 简介 主要讲授硅集成电路（IC）的制造技术，包括制造集成电 路涉及的各单项工艺的原理、应用及设备，并通过一个典 型的深亚微米CMOS工艺流程来学习工艺集成技术。 教材： 《微电子制造科学原理与工程技术》（第二版）Stephen A. Campbell 著，曾莹等译，电子工业出版社，2003。与教材中心联系购买。 参考教材 • 《硅超大规模集成电路工艺技术：理论、实践与模型》，James D. Plummer等著，电子工业出版社，英文版， 2003年4月。 • 《集成电路制造原理与实践》，庄同增等著 电子工业出版社出版1987 年11月。 2 2 课程教学计划 课堂教学 32学时 绪论 2学时 硅片制备和洁净室 2学时 热氧化工艺 2学时 扩散工艺 2学时 离子注入及RTP工艺 3学时 薄膜淀积工艺 5学时 外延工艺 2学时 光刻工艺 4学时 刻蚀工艺 3学时 微机电系统（MEMS ）工艺 2学时 金属化工艺 2学时 工艺集成技术 3学时 3 3 课外环节：上机实验（多媒体课件教学） 氧化、扩散及离子注入工艺原理及工艺模拟 外延、 CVD、溅射工艺原理 光刻、刻蚀原理及设备 微电子制造流程案例 提供上机实验的指导手册（包含一些讲义的补充内容） 第5周－第9周，具体时间和上机地点：另行通知。 每人3小时/次，共5次。 4 4 其他教学活动安排： 组织观看以清华大学微电子所CMOS工艺线为背景录制 的全套工艺线录象（包括工艺原理和设备操作介绍） 组织参观清华大学微电子所CMOS工艺线：超净车间及 外部动力设施 安排在第13周左右（周末），具体日期另行通知。 5 5 成绩考评方式（百分制） 课后作业 20 ％ 上机实验报告 20 ％ 期末考试（闭卷） 60 ％ 课后答疑安排 时间：周2下午3:30～5:00 （双周，从第4周开始） 地点：微所新所微纳器件研究室3312房间