材料冶金专业毕业论文 [精品论文] 三层液熔盐电解制备太阳级硅用氟化物电解质熔体预电解净化.doc

材料冶金专业毕业论文 [精品论文] 三层液熔盐电解制备太阳级硅用氟化物电解质熔体预电解净化 关键词：太阳级硅 电解精炼 三层液 氟化物熔盐 预电解净化 摘要：低成本、低能耗太阳级硅制备技术是降低太阳电池成本的有效途径，有利于促进光伏产业的发展。基于“三层液熔盐电解精炼”的太阳级硅制备方法有望解决电解过程电流密度小、沉积速度慢，电压波动严重等问题而受到广泛关注。电解质的预电解净化是该方法成功的基础。 论文以实现三层液熔盐电解精炼用氟化物电解质净化为目标，计算了氟化物熔体中各元素的电极电位，研究了不同电解槽结构下，预电解工艺参数（电解时间、温度、电流密度等）对电解质中杂质浓度变化的影响规律，并在此基础上，研究了电解质预电解对精炼硅产物纯度的影响。获得了如下主要研究结果： （1）氟化物熔体元素电极电位计算结果表明，以Na为零标电极时，碱金属和碱土金属较负（≤0V），在电解过程中难以沉积；重金属以及P的电极电位较正（≥2 V），在电解过程中会优先析出。在电解质中，后者存在极限浓度，P在1000K时的极限浓度为1.57×10-30。通过预电解可以将这些杂质降低到其极限浓度。 （2）在一定范围内，升高温度有利于除去电解质中的杂质，但电解温度越高，电解质的挥发也越严重。972℃下进行预电解时，杂质的去除率都只比952℃下进行预电解时杂质去除率提高了不到2.4％。说明当温度达到952℃后，继续升高温度并不能明显提高除杂的效果。由此，确定预电解温度为952℃。 （3）大电流密度下的反应速度更快，但会加剧电解质的损耗。50 mA/c㎡的电流密度下进行预电解时，杂质的去除率都只比20mA/c㎡时提高了不到4.1％。说明当电流密度达到20mA/c㎡时，继续增大电流密度并不能明显提高除杂的效果。由此，确定952℃时预电解电流密度为20 mA/c㎡。 （4）预电解时间越长，除杂的效果越好，但电解时间过长会加剧电解质的挥发。952℃在20 mA/c㎡的电流密度下，对电解质进行3小时预电解后，电解质中杂质浓度与电解精炼后的浓度相近。由此，确定952℃在20 mA/c㎡电流密度下预电解时间为3小时。 （5）“冶金硅三层液熔盐电解精炼”实验证实，氟化物熔盐电解质的预电解净化可有效提高精炼硅的纯度。在三种预电解槽型中，“直接预电解”提高效果最不明显，“正向预电解”提高效果最大。采用普通电解质电解精炼所得Si中B含量为5.8×11-6，P含量为33.4×10-6，Fe含量为580.8×10-6；而采用“正向预电解”后氟化物为电解质电解精炼所得Si中B含量为3.2×10-6，P含量为24.1×10-6，Fe含量为62×10-6。  正文内容 低成本、低能耗太阳级硅制备技术是降低太阳电池成本的有效途径，有利于促进光伏产业的发展。基于“三层液熔盐电解精炼”的太阳级硅制备方法有望解决电解过程电流密度小、沉积速度慢，电压波动严重等问题而受到广泛关注。电解质的预电解净化是该方法成功的基础。 论文以实现三层液熔盐电解精炼用氟化物电解质净化为目标，计算了氟化物熔体中各元素的电极电位，研究了不同电解槽结构下，预电解工艺参数（电解时间、温度、电流密度等）对电解质中杂质浓度变化的影响规律，并在此基础上，研究了电解质预电解对精炼硅产物纯度的影响。获得了如下主要研究结果： （1）氟化物熔体元素电极电位计算结果表明，以Na为零标电极时，碱金属和碱土金属较负（≤0V），在电解过程中难以沉积；重金属以及P的电极电位较正（≥2 V），在电解过程中会优先析出。在电解质中，后者存在极限浓度，P在1000K时的极限浓度为1.57×10-30。通过预电解可以将这些杂质降低到其极限浓度。 （2）在一定范围内，升高温度有利于除去电解质中的杂质，但电解温度越高，电解质的挥发也越严重。972℃下进行预电解时，杂质的去除率都只比952℃下进行预电解时杂质去除率提高了不到2.4％。说明当温度达到952℃后，继续升高温度并不能明显提高除杂的效果。由此，确定预电解温度为952℃。 （3）大电流密度下的反应速度更快，但会加剧电解质的损耗。50 mA/c㎡的电流密度下进行预电解时，杂质的去除率都只比20mA/c㎡时提高了不到4.1％。说明当电流密度达到20mA/c㎡时，继续增大电流密度并不能明显提高除杂的效果。由此，确定952℃时预电解电流密度为20 mA/c㎡。 （4）预电解时间越长，除杂的效果越好，但电解时间过长会加剧电解质的挥发。952℃在20 mA/c㎡的电流密度下，对电解质进行3小时预电解后，电解质中杂质浓度与电解精炼后的浓度相近。由此，确定952℃在20 mA/c㎡电流密度下预电解时间为3小时。 （5）“冶金硅三层液熔盐电解精炼”实验证实，氟化物熔盐电解