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MOCVD 外延生长技术简介 发布日期:2008-01-14 我也要投稿! 作者:网络 阅读: 2065 [ 字体选择：大 中 小 ] 摘要：MOCVD 外延技术是国内目前刚起步的技术，本文主要介绍外延的基本原理以及 目前世界上主要外延生产系统的设计原理及基本构造。 外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和SiC 两种） 上，气态物质In,Ga,Al,P 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延 片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD 金属有机物化学气相淀积（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，简称 MOCVD）， 1968 年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新 技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科 为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于 GaN （氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也 是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 第一章 外延在光电产业角色 近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而 商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管ＬＥＤ及激光二级管ＬＤ的应用无不说明了Ⅲ－Ⅴ 族元素所蕴藏的潜能，表 １－１ 为目前商品化ＬＥＤ之材料及其外延技术，红色及绿色 发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相 外延成长法成长磷砷化镓 ＧａＡｓＰ 材料为主。ＭＯＣＶＤ机台是众多机台中最常被使 用来制造ＬＥＤ之机台。而ＬＥＤ或是ＬＤ亮度及特性的好坏主要是在于其发光层品质及材 料的好坏，发光层主要的组成不外乎是单层的ＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子井 Ｓｉｎｇｌ ｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ 或是多层的量子井 Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕ ｍ Ｗｅｌｌ ，而尽管制造ＬＥＤ的技术一直在进步但其发光层 ＭＱＷ 的品质并没有 成正比成长，其原是发光层中铟 Ｉｎｄｉｕｍ 的高挥发性和氨 ＮＨ３ 的热裂解效率 低是ＭＯＣＶＤ机台所难于克服的难题，氨气ＮＨ３与铟Ｉｎｄｉｕｍ的裂解须要很高的裂 解温度和极佳的方向性才能顺利的沉积在ＩｎＧａＮ的表面。但要如何来设计适当的ＭＯＣ ＶＤ机台为一首要的问题而解决此问题须要考虑下列因素： １ 要能克服ＧａＮ成长所须的高温 ２ 要能避免ＭＯ Ｇａｓ金属有机蒸发源与ＮＨ３在预热区就先进行反应 ３ 进料流速与薄膜长成厚度均。 一般来说ＧａＮ的成长须要很高的温度来打断ＮＨ３之Ｎ－Ｈ的键解，另外一方面由动力学 仿真也得知ＮＨ３和ＭＯ Ｇａｓ会进行反应产生没有挥发性的副产物。了解这些问题之后 要设计适当的ＭＯＣＶＤ外延机台的最主要前题是要先了解ＧａＮ的成长机构，且又能降低 生产成本为一重要发展趋势。 外延片工艺流程 衬底——结构设计——缓冲层生长——N 型GaN 层生长——多量子阱发光层生长——P 型 GaN 层生长——退火——检测（光荧光、X 射线）——外延片 外延片——设计、加工掩模版——光刻——离子刻蚀——N 型电极（镀膜、退火、刻蚀）——P 型电极（镀膜、退火、刻蚀）——划片——芯片分检、分级 生产工艺流程具体介绍如下： 固定：将单晶硅棒固定在加工台上。 切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废 水和硅渣。 退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反 应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。 倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及 光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。 分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。 研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦 度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。 清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产 生有机废气和废有机溶剂。 RCA 清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。具体工艺流程如下： SPM 清洗：用H2SO4 溶液和H2O2 溶液按比例配成SPM 溶液，SPM 溶液具有很强的氧 化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成CO2 和H2O。用SPM 清洗 硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。