04固体能带结构及固体光谱.ppt

五、克喇末—克朗尼格关系(Kramas-Kronig relationships)（KK关系） 2、过渡族金属离子中心 1、三价稀土离子中心 四、分立中心的吸收与发光 1、三价稀土离子中心的吸收与发射光谱 Eu3+：5s25p64f6 电子组态： Eu(63)：5s25p64f76s2 ， 基态能级： S=3，L=3，J=6，5，4，……0 ； 7F0，7F1，7F2……7F6 可见光区存在着丰富的能级 的吸收光谱 发光： 2、过渡族金属离子中心的晶场光谱 电子组态： Cr3+：3d3； Ti3+：3d1； Mn2+:3d5 具有非完全填满的d 壳层。 Ti3+：3d1 (八面体对称晶场) 吸收光谱 电荷转移态 能级交叉 弱场和强场近似； 八面体对称 一、参数法：垂直入射时的反射光谱 第四节 光学常数的测量 设入射、反射和折射为三列平面电磁波，即 入射波 反射波 折射波 电场、磁场关系 边界条件：切向 连续；法向 连续 光由空气垂直入射到具有复折射率 的介质上。(半波损失） 参数法确定n和?：以R为参数，可得（n,?）关系为二次曲线 不同反射率R 下的（n, ?）图 二、Brewster角法确定n 求斜入射下的反射率与透射率。 tgφ1= n 则RP＝0，Tp＝1 . 当n=3，κ=1时，反射率R 作为入射角的函数曲线 三、干涉法：薄膜反射或透射光谱 入射光的电场E在 z=0 处为1； 2? = 2m?，或2nd = mλ0 ( m =1,2,3,…) 时，透射光谱T 取一系列极大值，而反射光谱R 出现一系列极小； 当 2? =（2m+1）?，或 2nd = (2m+1)λ0 /2，透过光谱出现一系列极小值，而反射光谱出现极大 相邻极大： 测得相邻条纹的间隔，则知道了折射率，可以算出薄膜的厚度；反之，知道厚度可以求出折射率。 P轴（平行分量） zo ze 450 450 四、椭偏光度法 * Ge和二元化合半导体(例如GaAs)的能带示意图 第四章 固体能带结构及固体光谱 (GaAs)的能带图 Γ点附近 直接带Ⅲ-Ⅳ族半导体在Γ点附近的能带结构 典型的半导体的吸收光谱 光子能量(eV) 吸收系数(cm-1) 波长(μm) 100 106 10-1 10-3 102 103 基本吸收区 吸收边缘 激子吸收 自由载流子吸收 剩余射线区 自由载流子吸收 杂质吸收 典型的半导体吸收光谱 激子光谱 幂指数区：吸收系数随光子能量的变化为幂指数规律. 1/2次方, 3/2次方, 平方律. 带尾态； 杂质态. 第二节 带间跃迁的吸收与发射光谱 一、允许的直接跃迁 0K时，价带是满带，导带是空带。 绝热近似：电子跃迁，原子核不动。 单电子近似：忽略电子之间的耦合，一个光子只和一个电子发生作用。 能量守恒： Eg 0 E=0 Eg 动量守恒： Ki + k = Kf k=h/?0K=h/a 以价带顶为原点 →Ki = Kf =K→直接跃迁。 叫做联合态密度 直接跃迁吸收系数的计算： (?次幂！) [? (? ?)]2 ? ? Eg 二、禁戒的直接跃迁 三、声子伴随的间接跃迁 平方律。来自间接带结构的间接跃迁。 0 Ef Ei Ef-Ei+EP Ef-Ei-EP 导带 价带 E K 2、靠杂质散射实现间接跃迁。 1、声子参与，与温度有关； 间接跃迁吸收光谱的计算 温度T 下, 对于吸收一个声子， 对于发射一个声子， Bose-Einstein统计 平方律 [?(??)]1/2 Eg-EP Eg+EP 间接跃迁吸收边的温度依赖 作 关系图。 两种发光过程 (a)直接跃迁； (b)间接跃迁。 nC：导带被占据的电子态密度；nV:价带空出的状态 四、带间复合发光 其中 A’ 和 B 为与频率无关的常数。 Eg-Ep Eg 吸收或发光 直接 间接 间接复合发光 第三节 杂质和缺陷态光谱 一、复合中心 C V D A ED EA 半导体掺杂 n-Si(Ge) N, P, As, Sb, Bi等五族元素 p-Si(Ge) B, Al, Ga, In等三族元素 在禁带中形成施主或受主能级，电离能~meV 采用弱束缚近似方法-类氢原子模型 电子（或空穴）在杂质中心附近受到库仑势 其中 r 为电子或空穴的位置坐标 解薛定谔方程，可得杂质能级（分别以导带底或价带顶为0点） 其中R *为杂质态的里德伯常数 其中m *为电子或空穴的有效质量 二、施主和受主杂质中心的红外吸收 (a)和(b)：中性施主(受主)与导(价)带间的跃迁-浅跃迁 (c)和(d)：离化施主(受主)与价(导)带间的跃迁-深跃迁 eV 吸收（相对值） T=1