当单层浓度的铟布置吸附在矽111表面上时其表面结构为41相.docVIP

銦佈置於矽(111)表面於 (4×1)與(8×2)相的原子與電子能態結構 文/蔡秀芬 原子佈置於半導體表面可因佈置濃度與佈置的溫度產生各種不同的表面原子結構。其電子結構特性亦隨表面原子結構分佈而產生極大的不同，其可能由金屬性改變為半金屬性，甚至於變為絕緣體。我們可以利用第一原理進行理論模擬計算分析吸附於半導體表面的原子結構分佈，並進一步分析其電子結構特性。並可以進一步分析推論系統隨溫度變化所產生相轉變發生的機制。本文以銦佈置於矽(111)表面隨溫度變化而產生(4×1)與(8×2)相的例子，介紹第一原理在該領域的運用。 當單層濃度的銦佈置吸附在矽(111)表面上時，其表面原子結構形成(4×1)的金屬相。這是早在1965年就知道的實驗結果(1)，但是其詳細的表面原子結構分析是最近幾年才由表面x射線散射(SXRD)得知(2)；其形成沿方向上與矽吸附鏈平行的準一維銦鋸齒狀鏈排列的表面結構。然而對於其表面電子結構的分析卻意見分歧，由掃描穿透式電子顯微鏡(STM)與掃描穿透光譜(STS)證明(4×1)相具半金屬性(3)；然而由不同實驗室的角度分析光電子能譜(ARPES) (4-5)及反光電子發射能譜(IPES)(6)分析卻認為(4×1)相為金屬性。 另一方面，結合ARPES與STM的實驗證實In/Si(111)的系統由室溫下降至100K時，會因一維電荷密度波(CDW)誘發使其表面結構由(4×1)相轉變為(4×’2’)或(8×’2’)相(5)；其中’×2’代表跨一維鏈方向的雙週期長程有序性是不完全的(5,7)。而且由角度分析光電子能譜可隱約地看出低溫的8×’2’結構的表面電子能態在費米面上有一準能隙存在。且在能隙是對稱的假設下，估計能隙的大小為150±40及80±10meV(8)。然而，由高解析度電子能量損失能譜(HREELS)却證明在90K下的(8×2)相為非純半導體特性(9)。面對ARPES與HREELS實驗結果對(8×2)相電子結構特性的不同詮釋。Sakamoto(9)等人提出可能的解釋為該系統CDW根本不存在或是(8×’2’)相是因表面自由電荷密度減少而使得一維CDW不穩定而呈現部分金屬特性。 另一方面，Kumpf等人利用SXRD(10)觀察提出了20K的低溫In/Si(111)表面原子結構確實為(8×2)結構分佈，且其在銦的鏈狀結構中形成銦的三原子聚合體。他們同時發現銦鏈間有很強的相關性，且其相關性只存在於垂直鏈的方向上。因此，他們推論該系統的相轉變不是由CDW所誘發產生。 反觀對In/Si(111)系統的原子與電子結構特性的理論工作計算大多數集中於對(4×1)相的分析(11-13)。唯一對(8×2)相的理論計算結果(11)顯示其表面原子結構與SXRD(10)之實驗結果不符，且理論指出在費米面上無能隙存在又與ARPES的實驗結果相矛盾。因此，理論分析有重新檢視的必要，本文即是利用第一原理對銦佈置於矽(111)表面於單層濃度下的表面原子結構分佈與電子結構特性加以分析，我們的理論結果重現SXRD的表面結構，且理論所得的電子結構特性亦成功地解釋了ARPES(4)與HREELS(5,8)等實驗的結果。 本研究所使用的計算軟體為VASP (Vienna ab initio simulation package)(14-16)。其總能量的計算結果是建立在電子密度泛函理論(density functional theory, DFT)及區域密度近似(local-density approximation, LDA)下所得到的。我們利用重覆厚板模型進行理論模擬計算。每層厚板包含十層矽原子層，且於底層加氫原子以終結底層矽原子的懸空鍵，最上層加上吸附的矽原子與銦原子。兩層厚板間的距離大約間隔10?，以避免厚板間原子的交互作用。在做不同表面結構相－(8×2)、(4×2)及(4×1)的系統總能量計算時，均採用(8×2)的計算單元，以利彼此間的能量比較。計算中Ceperley-Alder電子交換相關函數(17)採用Perdew及Sunger參數化(18)之結果。電子與原子間的虛位能是利用PAW方法(19)所得到，其中銦的4d電子被視為價電子。計算中波函數是以平面波展開的，且其截止能量取為22.97Ry。當原子結構鬆弛模擬過程，k點的選取是利用Monkhorst及Pack的(2×8)網狀法取得 (20)。我們利用Davidson-block運算法訂1×10-6eV為能量計算停止的準則，以取得系統電子態的能量最佳化。且利用共軛梯度運算法，使原子位置鬆弛至其能量改變為每(8×2)計算單元小於1meV為止；一般而言，此時原子或離子所受的作用力已經低於0.02V/?。 如圖一所示，(8×2)的計算單元可以視為兩個(4×2)單元。每一個(4×2)單元的上層包含四個