hce[工学]CMOS工艺流程.pptVIP

下载本文档

5
0
约小于1千字
约 8页
2018-02-14 发布于浙江
举报
版权申诉

hce[工学]CMOS工艺流程.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

hce[工学]CMOS工艺流程

生产适当类型衬底的晶片制造工艺；准确定位每个区域的光刻工艺；向晶片中添加材料的氧化、淀积和离子注入；从晶片上取出材料的刻蚀工艺。 MOS器件的侧视图和俯视图光刻光刻是把光刻电路版图信息转移到晶片上的第一步。 MOS器件的版图可分成五个不同的层，如下图所示 * * CMOS工艺流程现代CMOS工艺包括200多道工序，但是，为了达到了解的目的，我们可以将其堪称下列操作的组合：俯视图侧视图晶片工艺 CMOS工艺开始所使用的晶片必须是高质量制造的。也就是说，晶片必须生长成只含有极少“缺陷”（如晶体位错或有害杂质）的单晶硅体。此外，晶片必须包含适当的杂质类型和掺杂浓度以满足电阻率的要求。这种单晶硅的生长可采用“且克劳斯基法”实现：将一块单晶硅的籽晶浸入熔融硅中，然后在旋转籽晶的同时逐渐地将其从熔融硅中拉出。这样，一个可以切成薄晶片的大单晶“棒”就形成了。光刻流程图与每一层的光刻相关的流程都需要一块掩膜版和三道工序：在晶片上涂抹光刻胶；对准掩膜版并进行曝光；可是曝光后的光刻胶； * *