XAFScourse7a 同步辐射应用新进展课程.pptVIP

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2018-02-11 发布于江西
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XAFScourse7a 同步辐射应用新进展课程.ppt

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XAFScourse7a 同步辐射应用新进展课程

Ge QDs、QDs Array Ge nanocrystalline Ge overlayers Ge quantum wells Ge-Si alloy and films Ge nano wires InSb QDs、QDs Array InSb nanocrystalline InSb overlayers InSb films InSb nano wires InSb alloy 2 (Ge4Si4) Quantum Well Phys.Rev.B62，1883( 2000) Stronger optical transitions (0.75, 1.25, 2.31 eV) , grown at 673 K Table：Structural Parameters obtained from XAFS data for Ge4/Si4/Si(001) and GexSi1-x alloy ----------------------------------------------------------------------------------------------------- --- Samples coordination type R (nm) N sigma (10-2nm) E(eV) --------- ------------------------------- --------------------------------------------------------------- (Ge4/Si4)5/Si(001) Ge-Ge 0.243?0.001 1.8?0.2 0.56?0.05 7.0?1.0 Ge-Si 0.238?0.001 2.2?0.2 0.62?0.05 4.0?1.0 Ge0.50Si0.50 alloy Ge-Ge 0.242?0.001 2.0?0.2 0.45?0.05 7.0?1.0 Ge-Si 0.238?0.001 2.0?0.2 0.40?0.05 3.8?1.0 Ge0.05Si0.95 alloy Ge-Si 0.235?0.001 4.0?0.2 0.45?0.05 4.5?1.0 c-Ge Ge-Ge 0.245 4.0 0.58 8.0 -------------------------------------------------------------------------------------------------------- Multiple scattering model for c-Ge Absorption spectrum and ?(k) function for c-Ge MS fitting result for c-Ge Contributions of the scattering paths in k- space for c-Ge Fitting results of c-Ge for all the MS paths Fitting result for Ge/Si(100) QDs Structural parameters for Ge/Si(100) QD grown at 745?C Structural parameters for Ge/Si(100) QD grown at 550?C Structural parameters for Ge/Si(100) QD grown at 510?C 谢谢大家! Thank you! Structural parameters ---------------------------------------------------------------------- Ge dots R Ge-Ge(nm) N R Ge-Si