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* 第五章 单片机存储器扩展技术 5.1 存储器系统基本知识 5.1.1 存储器的分类 1.? 只读存储器（ROM） （1） 掩模工艺ROM （2）可一次性编程ROM（PROM） （3）紫外线擦除可改写ROM（EPROM） （4）电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PROM） （5）快擦写ROM（flash ROM） 随机存储器RAM（也叫读写存储器） 金属氧化物（MOS）RAM ?静态RAM（SRAM） ?动态RAM（DRAM） ?集成RAM（i RAM） ?非易失性RAM（NVRAM） 5.1.2 存储器的主要性能指标 1.??????存贮容量 2.????? 存取时间 3.??????可靠性 4.??????功耗 5.2 系统扩展概述 用单片机组成应用系统时，首先要考虑单片机所具有的各种功能能否满足应用系统的要求。如能满足，则称这样的系统为最小应用系统。 图5.1(a)为MCS－51系列中8051和8751单片机的最小系统。 图5.1（b）为由8031、8032单片机组成的最小系统。 为了使单片机能方便地与各种扩展芯片连接，应将单片机的外部连接变为一般的微型机三总线结构形式。即地址总线、数据总线和控制总线。对MCS－51系列单片机，其三总线由下列通道口的引线组成： 地址总线：由P2口提供高8位地址线（A8――A15），此口具有输出锁存的功能，能保留地址信息。由P0口提供低8位地址线。由于P0口是地址、数据分时使用的通道口，所以为保存地址信息，需外加地址锁存器锁存低8位的地址信息。一般都用ALE正脉冲信号的下降沿控制锁存时刻。 数据总线：由P0口提供。此口是双向、输入三态控制的通道口。 控制总线：扩展系统时常用的控制信号为地址锁存信号ALE，片外程序存储器取指信号以及数据存储器RAM和外设接口共用的读写控制信号等。 图5.2为单片机扩展成三总线的结构图。扩展芯片与主机相连的方法同一般三总线结构的微处理机完全一样。 图5.2 单片机的三总线结构 5.3 存储器扩展的编址技术 5.4.1 线选法 所谓线选法，就是直接以系统的地址作为存储芯片的片选信号，为此只需把高位地址线与存储芯片的片选信号直接连接即可。特点是简单明了，不需增加另外电路。缺点是存储空间不连续。适用于小规模单片机系统的存储器扩展。 【例5-1】现有2K*8位存储器芯片，需扩展8K*8位存储结构采用线选法进行扩展。 扩展8KB的存储器结构需2KB的存储器芯片4块。2K的存储器所用的地址线为A0～A10共11根地址线和片选信号与CPU的连接如表5-1所示。 表5-1 80C51与存储器的线路连接 80C51 存储器 P0口经锁存器锁存形成A0～A7 与A0～A7相连 P2.0、P2.1、P2.2 与A8～A10相连 P0口 与D0～D7相连 P2.3 与存储器1的片选信号相连 P2.4 与存储器2的片选信号相连 P2.5 与存储器3的片选信号相连 P2.6 与存储器3的片选信号相连 扩展存储器的硬件连接如图5.5所示。 图5.5 线选法连线图 这样得到四个芯片的地址分配如表5-2所示 表5-2所示 线选方式地址分配表 ? A15 A14 A13 A12 A11 A10 …. A0 地址范围 芯片1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 …. 0 1 …. 1 7000H---77FFH 芯片2 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0?????????? …. 0 1?????????? …. 1 6800H---6FFFH 芯片3 0 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0?????????? …. 0 1?????????? …. 1 5800H---5FFFH 芯片4 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0?????????? …. 0 1?????????? …. 1 3800H—3FFFH 5.4.2 译码法 所谓译码法就是使用译码器对系统的高位地址进行译码，以其译码输出作为存储芯片的片选信号。这是一种最常用的存储器编址方法，能有效地利用空间，特点是存储空间连续，适用于大容量多芯