单级共发放大器的频率特性.pptVIP

§3.4 单级共发放大器的频率特性 提纲 1. 低频特性 2. 高频特性 1. 低频特性 单级共发放大器 考虑三个大容值电容对低频特性的影响，即求ωL 1. 低频特性 低频交流通路图 定性分析：该电路有三个独立的电容元件，增益函数应该有三极点，同时又是高通函数，也必有三个零点。所以增益应为三极三零系统 1. 低频特性 低频交流等效电路 分析放大器的低频特性，BJT仍采用低频小信号模型 1. 低频特性 近似分析思想 直接从电路求解增益函数，将涉及对三阶函数进行因式分解，且每个电容的作用意义也不明确，故单独考虑每个电容对低频特性的影响，然后再予以综合分析 1. 低频特性 单独考虑耦合电容C1的影响 定性分析：当系统工作频率降低时， C1的容抗增大，导致放大器得到的有效电压降低，增益减小 1. 低频特性 忽略RB影响，得到 1. 低频特性 单独考虑耦合电容C2的影响 1. 低频特性 1. 低频特性 单独考虑射极旁路电容CE的影响 可看作CE＋Re的情况 1. 低频特性 1. 低频特性 结论 旁路电容CE的低频响应影响最大，可视为主极点，一般该电容应取三者之间的最大值 1. 低频特性 低频特性的改善措施 提高CE容值 在级间采用直接耦合方式 而高频响应结电容固定，怎样改善显得更加重要 2. 高频特性 单级共发放大器 2. 高频特性 高频交流通路 高频交流等效电路 采用BJT的高频模型 2. 高频特性 高频交流等效电路 采用BJT的高频模型 集电结电容，虽然较小但它既对输入端产生影响，又对输出端产生影响，无法讨论，必须作单向化近似 2. 高频特性 混合π形高频小信号模型的单向化近似 所谓单向化近似，即将非单向化的混合π形高频小信号模型近似为信号单向流动模型，只有输入到输出的流动，而没有输出反馈回输入的反馈回路 2. 高频特性 密勒定理 2. 高频特性 关于K的讨论 如果K0，即放大器是反相放大器，那么Zfi，Zfo与Zf是同类阻抗元件 如果K0 ，放大电路则不稳定，电路有可能产生阻尼振荡 2. 高频特性 Cc是跨接在输入输出端口的元器件，可作密勒等效 2. 高频特性 单向化近似分析过程 第一步：计算共发放大器的高频电压增益K 2. 高频特性 第二步：根据密勒定理求出密勒等效电容 定义：密勒因子D 2. 高频特性 单向化近似模型 2. 高频特性 单向化近似结论 晶体管的输入端口电容经密勒等效以后，增大了D倍 D与管子的集电结电容、特征频率以及等效负载有关，当管子选定以后，D完全取决于放大器的负载，负载越大，则D越大，输入电容也就越大 2. 高频特性 单级共发放大器高频等效电路 2. 高频特性 2. 高频特性 2. 高频特性 讨论 密勒因子D越小，电压增益函数的带宽就越大，这就要求负载RL越小 RL越小，导致中频电压增益越低，即该表达式体现了增益与带宽两者之间的矛盾性 2. 高频特性 增益带宽乘积GBP 共发放大器的GBP 该式说明了共发放大器的GBP在一定条件下只取决于BJT本身的参数 2. 高频特性 高频特性的改善措施 选择特征频率大，rb和Cc小的晶体管，在同样的电路条件下可以获得较大的带宽 放大器发射极静态偏置电流设置的越小，则re就越大，有利于获得较大的带宽 2. 高频特性 对于同一放大电路，不同增益函数的3dB带宽是不完全相同的 由于GBP在一定条件下仅与晶体管的自身参数有关，因此，共集、共基放大器工作带宽比共发放大器宽得多 * * University of Science and Technology of China