电路分析与电子电路基础电路复习(北邮计算机)PPT.ppt

* * * * * 在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。 N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素（如磷、锑）后会出现多余电子，从而形成以自由电子为主的载流子，空穴为少数载流子，这种半导体叫做N型半导体。 P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素（如硼、铟等），形成多余空穴，从而形成以空穴为主的载流子，电子为少数载流子，这种半导体叫做P型半导体。 三价杂质原子的空穴被填补后变成负离子 五价杂质原子缺少自由电子后变成正离子 PN结 由于浓度差，N区的多子（电子）向P区扩散，从而形成带正电的区域。同样，P区的多子（空穴）向N区扩散，使得P区有多余的电子，从而形成带负电荷的区域。最终在PN结处形成空间电荷区（N正P负），该电荷区形成内电场，方向由N区指向P区，正好阻止扩散的继续。 随着扩散的继续，内电场也逐渐加强，最终达到扩散与阻止扩散的平衡状态，于是空间电荷区的宽度稳定下来，可以认为载流子被耗尽，因此空间电荷区也称为耗尽层。 PN结加正向电压——正向导通 如果在PN结的两端外加电压，将破坏原来的平衡状态，半导体器件上施加的外电压称为偏置电压。 当电源正极接到PN结的P端，负极接到PN结的N端，称为正向偏置电压。此时外加电场与内电场方向相反，将多数载流子推向空间电荷区，外加电场削弱了内电场（耗尽层变窄），引起载流子的扩散运动持续进行，从而形成正向电流，PN结导通。 PN结加反向电压——反向截止 当电源正极接到PN结的N端，负极接到PN结的P端，称为反向偏置电压。此时外加电场与内电场方向相同，使内电场加强（耗尽层变宽），进一步阻止载流子的扩散，阻止电流的形成，PN结处于截止状态。 2.二极管的伏安特性(正向特性) 当正向电压很小，不足以克服PN结内电场的影响是，二极管呈现很高的电阻特性，其正向特性的起始电流几乎为零，该段区域称为死区； 随着外加正向偏置电压的升高，当电压足以克服内电场的影响时，正向电流开始上升，二极管开始导通；正向导通电压： 一般按照硅管0.7V。 外加正向偏置电压超过死区电压后，二极管内电场被大大削弱，正向电流增长很快，与正向偏置电压近似成正比，伏安特性曲线近似成一条直线，该段区域称为线性区； 反向截止； 反向击穿； 稳压二极管 稳压二极管工作在击穿区。由于齐纳击穿效应，在维持一定的电流条件下，二极管的反向偏置电压会稳定在一个固定数值，当反向偏置电压撤销后，能恢复原来状态 。主要用于电压限制和调整，也可作为电路的过电压保护器件。 稳压二极管的电路符号： 三极管的工作原理 对发射结（b－e结）施加正向偏置电压，b－e结导通，大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区，产生由e向b的电子流。发射区不断从电源得到补充电子，持续扩散运动形成发射极电 。 对集电结（b－c结）施加反向偏置电压，集电极就具有很强的a电子吸收能力。 由于基区很薄，由发射区到达基区的电子小部分被基极空穴复合，由于基区接电源正极，电源将电子吸收，相当于电源向基区持续提供空穴，形成基极电流 。 发射极 集电极 三极管的工作原理 在一定范围内，集电极电流与基极电流保持了比较固定的比例关系，在此范围内，基极电流越大，集电极电流就越大，表现出三极管的放大特性。 自由电子从发射区到达基区，基区很薄，又由于集电极具有很强的电子吸收能力，因此到达基区的大部分电子在外电场的作用下越过集电结到达集电区，漂移运动形成集电极电流 。 由于集电极所收集的电子数大于进入基极的电子数，因此集电极电流大于基极电流。 发射极 集电极 (2) 当UCE变大，使集电极反偏后，集电结内电场很大，能将从发射区扩散到基区的自由电子中的绝大部分拉到集电区，从而形成了集电极电流IC。基区复合减少，同样的UBE下IB减小，特性曲线右移。 (1) 当UCE=0V时，发射极与集电极短路，相当于并联的两个二极管正向特性曲线。 UCE = 0V UCE ? 1V (3) 当UCE≥1V时，集电极已经反偏，若再增大UCE，只要UBE不变则IB基本不变。 输出特性曲线 IC = f (UCE ) | IB = 常数 IB与IC密切相关，IB不同对应不同的曲线。 对于某一曲线，当UCE从零逐渐增大，集电结电场随之增强，收集基区自由电子的能力也逐渐增大，因此IC也就逐渐增大。 当UCE增大到一定数值时，集电结电场足以将基区的绝大部分自由电子都收集到集电极，UCE再增大，收集能力也不能明显提高为表现为曲线几乎平行与横轴。 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域