[研究生入学考试]半导体物理复习2009.docVIP

一、选择题 1. 若半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定 。 A. 不含施主杂质 B. 不含受主杂质 C. 不含任何杂质 D. 处于绝对零度 2. 本征半导体是指 的半导体。 A. 不含杂质与缺陷 B. 载流子的分布遵从玻耳兹曼统计规律 C. 电子密度与空穴密度相等 D. 与掺杂半导体相比，电导率最低 3. 半导体中杂质自补偿效应的起因是 。 A. 材料中先已存在某种深能级杂质 B. 材料中先已存在某种深能级缺陷 C. 掺入的杂质是双性杂质 D. 热激发导致的电子空穴对激发 4. 下列四种掺杂硅半导体材料中，室温下功函数最大是 。 A. 含硼1015/cm3的硅 B. 含磷1015/cm3的硅 C. 含硼和磷各为1015/cm3的硅 D. 纯净硅 5. 若在适度掺杂的无表面态n型硅 (功函数WS ( 4.3 eV ) 上制作欧姆电极， 以下四种金属中最合适的是 。 A. 铝Al (功函数Wm ( 4.2 eV ) B. 铬Cr (功函数Wm ( 4