分子束外延技术PPT.pptx

分子束外延技术目录分子束外延设备国内外进展分子束外延工艺分子束外延原理1引言分子束外延（Molecular Beam Epitaxy, MBE） 在超高真空环境下，使具有一定热能的一种或多种分子（原子）束流喷射到衬底，在衬底表面发生反应的过程，由于分子在“飞行”过程中几乎与环境气体无碰撞，以分子束的形式射向衬底，进行外延生长，故此得名。始创：20世纪70年代初期，卓以和，美国Bell实验室应用：外延生长原子级精确控制的超薄多层二维结构材料和器件（超晶格、量子阱、调制掺杂异质结、量子阱激光器、高电子迁移率晶体管等）；结合其他工艺，还可制备一维和零维的纳米材料（量子线、量子点等）。 2在超高真空系统中，将组成化合物中的各个元素和掺杂元素分别放入不同的源炉内。加热源炉使它们的分子（原子）以一定的热运动速度和一定的束流强度比例喷射到衬底表面上，与表面相互作用，进行单晶薄膜的外延生长。各源炉前的挡板用来改变外延层的组份和掺杂。根据设定的程序开关挡板、改变炉温和控制生长时间，就可以生长出不同厚度、不同组份、不同掺杂浓度的外延材料。 分子束外延原理示意图3分子束外延原理外延表面反应过程4分子束外延原理MBE的典型特点：（1）从源炉喷出的分子（原子）以“分子束”流形式直线到达衬底表面，可严格控制生长速率。（2）分子束外延的生长速率较慢，大约0.01~1nm/s。可实现单原子（分子）层外延，具有极好的膜厚可控性。（3）通过调节束源和衬底之间的挡板的开闭，可严格控制膜的成分和杂质浓度，也可实现选择性外延生长。（4）非热平衡生长，衬底温度可低于平衡态温度，实现低温生长，可有效减少互扩散和自掺杂。（5）配合反射高能电子衍射（RHEED）等装置，可实现原位观察、实时监测。5分子束外延原理7分子束外延设备8分子束外延设备9分子束外延设备10分子束外延设备芬兰DCA公司 P600型MBE系统11分子束外延设备真空泵12分子束外延设备涡轮分子泵其工作原理基于气体分子入射到固体表面上一般不做弹性反射，而是停滞一定时间与表面交换能量，然后以与入射方向无关的方向脱离，利用高速旋转的动叶轮将动量传给气体分子，使气体产生定向流动而抽气的真空泵。涡轮分子泵的优点是启动快，能抗各种射线的照射，耐大气冲击，无气体存储和解吸效应，无油蒸气污染或污染很少，能获得清洁的超高真空涡轮分子泵结构图13分子束外延设备离子泵在正交的电场及磁场作用下，稀薄状态气体会产生放电，称为潘宁放电。应用这一原理，将阳极分割成若干筒型小室，阴极采用钛板制成。放电产生的气体阳离子在电场作用下加速飞向阴极，气体离子射入阴极与钛形成钛化合物而被固定抽除。离子泵工作原理图14分子束外延设备低温泵低温泵是使用低于20K的金属表面使气体凝结，并保持凝结物的蒸汽压力低于泵的极限压力，从而达到抽气作用低温泵可以获得抽气速率最大、极限压力最低的清洁真空。15分子束外延设备真空计在低压强气体中，气体分子被电离生成的正离子数与气体压强成正比。电离真空计是基于在一定条件下，待测气体的压力与气体电离产生的离子流呈正比关系的原理制作的真空测量仪器。按照离子产生的方法不同，电离真空计可分为热阴极电离真空计和冷阴极电离真空计16分子束外延设备RHEED监测RHEED （reflection high-energy electron diffraction）：反射高能电子衍射仪，它是MBE) 技术中进行原位监测的一个重要手段。从电子枪发射出来的具有一定能量(通常为10 - 30kev) 的电子束以1 - 2°的掠射角射到样品表面,那么,电子垂直于样品表面的动量分量很小,又受到库仑场的散射,所以电子束的透入深度仅1 - 2 个原子层, 因此RHEED 所反映的完全是样品表面的结构信息，研究晶体生长、吸附、表面缺陷等方面17分子束外延设备MBE生长时表面覆盖度与RHEED衍射强度对比图18分子束外延设备残余气体分析INFICON公司四极质谱仪Hiden?公司四极质谱仪19分子束外延设备四极质谱仪结构示意图20分子束外延设备源炉MBE系统束源炉中装有纯度为99.9999%以上的高纯源材料，比如有Ga、Al、In、Sb、As等。在束源炉内材料会被加热到适当温度，产生气态分子或原子的束流喷射到衬底表面。其中源炉的金属部件采用高纯难熔的金属钽，坩埚和绝缘材料采用热解氮化硼。Riber MBE系统源炉和挡板21分子束外延设备电阻加热式源炉22分子束外延设备在Load-Lock室装入样品后，进行抽气和低温除气，真空度到达规定时，打开Load-Lock室与准备室之间的真空阀，将贴有衬底的钼托传送到准备室，在一定温度下加热钼托（一般GaAs不超过400 ℃、InP不超过 300℃） ，使其充分放气。真空度达到要求后，加热器降温。将除过气的钼托传送到生长室