[工学]广工模电PPT第1章 常用半导体器件11.ppt

1.1 半导体基础知识 一、本征半导体 2、本征半导体的晶体结构 2、本征半导体的晶体结构 3、本征半导体中的两种载流子 3、本征半导体中的两种载流子 3、本征半导体中的两种载流子 总结 二、杂质半导体 2. P型半导体 ----------掺入三价元素 三、PN结及其单向导电性 1.2 半导体二极管 一、二极管的组成 四、二极管的等效电路 1. 将伏安特性折线化 讨论 如何判断二极管在电路中的状态 先假设二极管两端断开，确定二极管两端的电位差； 半导体二极管的应用 二极管是电子电路中最常用的半导体器件。利用其单向导电性及导通时正向压降很小的特点，可用来进行整流、检波、 钳位、 限幅、 开关以及元件保护等各项工作。  半导体二极管的应用 半导体二极管的应用 半导体二极管的应用 1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构、类型和符号 一、晶体管的结构、类型和符号 一、晶体管的结构、类型和符号 一、晶体管的结构、类型和符号 二、晶体管的电流放大作用 二、晶体管的电流放大作用 二、晶体管的电流放大作用 二、晶体管的电流放大作用 二、晶体管的电流放大作用 3、晶体管的电流分配关系 二、晶体管的电流放大作用 二、晶体管的电流放大作用 二、晶体管的电流放大作用 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性 2. 输出特性 2. 输出特性 讨论 讨论 讨论 讨论 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 五、主要参数 1.4 场效应管 一、结型场效应管（以N沟道为例） (1)栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 （2）漏-源电压对漏极电流的影响 3. 结型场效应管的特性 （2） 输出特性 二、 绝缘栅型场效应管 二、 绝缘栅型场效应管 uDS对iD的影响 2. 耗尽型MOS管 3. MOS管的特性 三、主要参数(P50) 三、主要参数(P50) 输出 回路 输入 回路 　　特性曲线描述三极管各电极之间电压、电流的关系，用于对晶体管的性能、参数和晶体管电路的分析估算。 IB UCE 　三极管共射特性曲线测试电路 IC VCC Rb VBB c e b Rc V ? + V ? + ?A ? + + ? mA 输入特性： 输出特性： UBE 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 1. 输入特性 与二极管的正向特性相似！ 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 放大区 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 划分三个区：截止区、放大区和饱和区。 条件：发射结正偏，集电结反偏。 特点：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。 对 NPN 管 UBE 0，UBC 0，即C极电位最高，E极电位最低 集电极电流和基极电流体现放大作用，即 放大区：iC平行于uCE轴的区域 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 条件：发射结和集电结都反偏。 特点：IB = 0，iC= ICEO 截止区 　 硅管约等于 1 ?A，锗管约为几十 ~ 几百微安。可近似认为 iC ≈ 0。 截止区：iC接近零的区域，相当iB= 0的曲线的下方。 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 条件：发射结和集电结都正偏。 饱和区 饱和区：iC明显受uCE控制的区域。 特点：IC 基本上不随 IB 而变化，在饱和区三极管失去放大作用。 I C ? ? IB。 当 UCE = UBE，即 UCB = 0 时，称临界饱和，UCE UBE时称为过饱和或深度饱和。 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 从输出特性曲线求共发射极电流放大系数 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 — 直流电流放大系数 ? — 交流电流放大系数 Q 一般为几十 ? 几百 晶体管工作状态的判断 例：测得某硅材料NPN型晶体管各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V　　VB ＝0.7V　 VE ＝0V （2） VC ＝6V　 　VB ＝4V　 VE ＝3.6V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE ＝3.4V 解： 原则： 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE （1）放大区 （2）截止区