[理学]半导体物理课件-电子迁移.pdfVIP

半导体物理 PHYSICS OF SEMICONDUCTORS 教 案: 刘诺 制作 : 刘 诺 动画：刘诺，陈洪彬，赵翔，韩劲松 Email: liunuo2002@ 电子科技大学 微电子与固体电子学院 微电子科学与工程系 第四章 半导体的导电性 Electrical conduction of semiconductors 重点： 重点： • 迁移率(Mobility) • 迁移率(Mobility) • 散射(Scattering mechanisms) • 散射(Scattering mechanisms) ——影响迁移率的本质因素 ——影响迁移率的本质因素 • 弱电场下电导率的统计理论 • 弱电场下电导率的统计理论 §4.1 载流子的漂移运动 迁移率 The drift motion of Carrier,Mobility 重 点 • 漂移运动 • 扩散运动 • 迁移率 The drift motion of Carrier,Mobility 一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想:载流子定向运动，即漂移运动。 漂移运动 The drift motion of Carrier,Mobility 结论 • 在严格周期性势场（理想）中运动 的载流子在电场力的作用下将获得 加速度，其漂移速度应越来越大。 The drift motion of Carrier,Mobility 实际中，见到： The drift motion of Carrier,Mobility 存在破坏周期性势场的作用因素： 如： 如： * 杂质 * 杂质 * 缺陷 * 缺陷 * 晶格热振动 * 晶格热振动 散射 散射 The drift motion of Carrier,Mobility 2、迁移率 假设讨论的是n型半导体，电子浓度为 n0 ，在外电场下通过半导体的电流密度 () J −n qv ⎯⎯→ 1 n 0 d (vd : 电子的平均漂移速度) 在弱场下欧姆定律成立 ( ) J σ E ⎯⎯→ 2 n n The drift motion of Carrier,Mobility 二式比较 v ⎛ ⎞ d () 则 σ n q⎜ ⎟ n qµ ⎯⎯→ 3 n