电力电子技术及应用第1章.pptVIP

图1-19 GTR的内部结构 　　2．GTR的主要参数 　（1）最大电流额定值ICM和 IBM 　　一般将电流放大倍数β下降到额定值的1/2～1/3 时集电极电流IC的值定为集电极最大电流ICM，使用时绝不能让IC值达到ICM，否则前面所说的三种物理效应会使GTR的电气性能变差，甚至于使器件损坏。基极电流的最大额定值IBM规定为内引线允许流过的最大基极电流，通常取IBM=(1/2～1/6) ICM。 　（2）集电极的额定电压UCEM 　　既集电极的最高工作电压不可超过规定值，否则会出现击穿现象，它与GTR的本身特性及外电路的接法有关。常用BUCBO、BUCEO、BUCES、BUCER和BUCEX表示。BUCBO为发射结开路时集基极的击穿电压；BUCEO为发射结开路时集射极的击穿电压；BUCES为发射结短路时集射极的击穿电压；BUCER表示基射间并联电阻时的基射击穿电压，随并联电阻的减小而增大；BUCEX表示基射极施加反偏电压时的集射极击穿电压。一般情况下BUCEO ＞BUCEX＞BUCES＞BUCER＞BUCEO，当GTR的最高工作电压UCEM应比最小击穿电压BUCEO低，从而保证元器件的工作安全。 　 　（3）饱和压降UCES 　单个GTR的饱和压降一般不超过1～1.5V，UCES随集电极电流的增大而增大。 　（4）集电极最大耗散功率PCM? 　　PCM即GTR在最高允许结温TjM时所对应的耗散功率，它等于集电极工作电压与集电极工作电流的乘积。这部分能量转化为热能使GTR发热，在使用中要特别注意GTR的散热。 如果散热条件不好，器件会因温度过高而使迅速损坏。所以GTR使用时必须选配合适的散热器。 　3．二次击穿现象 　　二次击穿是GTR突然损坏的主要原因之一，是它在使用中最大的弱点。二次击穿现象可以用图1-20来说明。处于工作状态的GTR，当其集电极反偏电压UCE逐渐增加到最大电压BUCEO时，集电极电流IC急剧增大，出现击穿现象,但此时集电结的电压基本保持不变，这叫一次击穿。这一击穿可用外接串联电阻的办法加以控制，只要进入击穿区的时间不长，一般不会引起晶体管的特性变坏。但是，一次击穿出现后若继续增大偏压UCE，而外接限流电阻又不变，则当IC上升到某一数值时，UCE突然下降，而IC继续增大（负阻效应），这时进入低压大电流段，在极短的时间内，将使器件内出现明显的电流集中和过热点，导致管子被烧坏，这个现象称为二次击穿。为了防止发生二次击穿，重要的是保证GTR开关过程中的瞬时功率不要超过集电极最大耗散功率PCM。一般说来，工作在正常开关状态的GTR是不会发生二次击穿现象的。 图1-20 GTR的二次击穿 　4．安全工作区 　　安全工作区SOA（Safe Operation Area）是指在输出特性曲线图上GTR能够安全运行的电流电压的极限范围，它受到GTR的直流极限参数ICM、PCM、电压容量BＵCEO及二次击穿等问题的限制，并由这四条限制界线所围成，如图1-21所示，阴影部分即为SOA。 图1－21 GTR安全工作区 1.3.2 电力场效应晶体管（P-MOSFET） 　　1．P－MOSFET的结构与工作原理 　　MOSFET的类型很多，按导电沟道可分为P沟道和N沟道； 根据栅极电压与导电沟道出现的关系可分为耗尽型和增强型， 电力场效应晶体管一般为N沟道增强型。电力场效应晶体管是多元集成结构，即一个器件由多个MOSFET单元组成。MOSFET单元结构如图1－22所示，有三个引脚，分别为源极S、栅极G和漏极D。从结构上看，PM与小功率MOS管有比较大的差别。小功率MOS管的三电极位于芯片的同一侧，导电沟道平行于芯片表面，是横向导电器件。而PM为提高器件耐压、电流的能力， 把漏极移到芯片的另一侧表面上， 采用的是垂直导电结构，称为 V－MOSFET。 　　其中源极的金属电极将管子内的N+区和P区连接在一起， 相当于在源极漏极间形成了一个寄生二极管。管子截止时，漏源间的反向电流就在此二极管内流动，所以电力场效应晶体管无反向阻断能力。其管子符号和等效电路符号如图1－23（a）、 （b）所示。PM元件在变流电路中常串接一个二极管 VD1，并在它的外面并接一个快速二极管 VD2，如图1－23（c）所示，目的是避免电路中反向大电流流过元件内的寄生二极管，对元件造成损坏。 ? 图1-22 MOSFET单元结构 图1-23 P-MOSFET的图形符号 　　当漏极接电源正极，源极接电源负极，即UDS＞0，栅源之间电压UGS≤0，Ｐ型区和N-型漂移区之间的ＰＮ结反向，漏源之间无电流流过。如果在栅极和源极所加正向电压UGS≤UT（UT为开启电压，又叫阈值电压，典型值为2～4 V）时，不会有栅流，也没有漏极电流ID出现，P