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NAND FLASH 1. NAND FLASH 特点 2. NAND FLASH 几种工艺模式 3. 烧录NAND FLASH 三种处理模式 4. 分区烧录的要求和操作 5. 新NAND FLASH算法运用 NAND FLASH 特点 NAND FLASH 是一种非易失的闪存技术,被广泛用于U盘,MP3\MP4、GPS、PDA、GSM、3G、手机、无线上网设备、笔记本等多个领域。NAND FLASH是高数据存储密度闪存的理想解决方案。 NAND和NOR是现在市场上两种主要的非易失闪存技术，和NOR Flash相比，NAND Flash有以下特点： (1) NAND Flash的编程速度快、擦除时间短。NAND Flash支持速率超过5Mbps的持续写操作，其区块擦除时间短至2ms，而NOR Flash是750ms。 (2)NAND Flash容量大、价格低。NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。 (3) NAND Flash存在坏块。由于NAND Flash生产工艺的原因，出厂芯片中会随机出现坏块。坏块在出厂时已经被初始化，并在特殊区域标记为不可用，在使用过程中如果出现坏块，也需要进行标记。 (4) 易出现位反转。NAND Flash更易出现位反转的现象，如果位反转出现在关键位置上，会导致系统挂机。所以在使用NAND Flash的同时，建议使用ECC/EDC算法确保可靠性。 (5) 存在Spare区。正因为NAND Flash有着上面两项特殊的地方，Spare区就扮演了存放坏块标志，ECC值以及芯片信息和文件信息的角色。 (6) 多维的空间结构。NAND Flash一般由block，page，sector等结构组成，例如三星公司的NAND Flash K9F1208U0B，它的组织结构如下图所示。 NAND FLASH工艺模式 SLC-512B*16 SLC-512B*32 SLC-2048B*64 MLC-2048B*128 烧录NAND FLASH 处理模式 常用的三种坏块处理方法 A) 跳过坏块 (Skip bad block) B) 硬拷贝 (Hard Copy) C.分区模式 (Partition） A) 跳过坏块 (Skip bad block) 这是一种最常用的坏块处理方法。它的实现原理比较简单，顺序烧录，发现某一块为坏块后，将相应数据烧录到下有个好块，如果发现连续的坏块的话，也连续的跳过这些坏块，并把数据烧录的下一个出现的好块中。其原理如下图。 硬拷贝 (Hard Copy) Hard Copy的方法在读写过程中，没有判断坏块，而是把它当成一般的Flash进行处理的。但在烧写过程，由于坏块的存在，导致对应的数据无法烧写进去，所以在一般情况下，我们不推荐使用这种方式烧写NANDFLASH。 不过在读取芯片(母片)的时候，有时候我们并不清楚该芯片的坏块标志位是不是被改变，不清楚该芯片用的是什么坏块处理方法，我们还是推荐采用这种方法读芯片内容。这种方法可以读出芯片的完全内容，以便进行下一步分析，或者直接拷贝。 C.分区模式 (Partition） 分区模式是一种较为复杂的坏块处理方法，支持多个文件组成的可烧录文件(*.img、*.mbn、*.bin等)的块地址定位烧录。 SP5000支持的可烧录的分区模式映象文件是由两部分构成的。第一部分在映象文件的第一个Block,包含芯片的基本信息，分区表信息。第二部分是从映象文件的第二个Block开始，是正在烧录到NAND Flash 的内容。其中第二部分是由多个文件构成的，每个文件的起始信息在第一部分的分区表信息中定义，由分区表控制其烧录，所以使用分区模式进行烧录。  SP5000支持算法集成的坏块分区处理方式外，还可以为客户定制其他的烧录方式（例如三星平台、高通平台、博通平台、TD终端、Linux系统、WinCE 烧录等）。算法本身支持ecc512B(Hamming Code)，并且支持生成的ecc码在spare区任意连续地址map。算法本身还支持NAND Flash Boot区的只读属性处理，一般表现为Bad block Mark前的OEM Reserved的处理。 分区烧录的要求和操作 1.IC工艺与IC块大小 如:1 Device = (2K+64)B x 64Pages x 2,048 Blocks= 2,112 Mbit 2.程序方案(常用博通\高通方案) 3.多个文件或*.MBN文件与分区表 4.提供分区信息文档 以高通为例:客户工程师已打包好（FactoryImage.mbn）主程