数字电子技术基础 第二章 门电路2.ppt

第二章 小结 一、半导体二极管、三极管和 MOS 管 是数字电路中的基本开关元件，一般都工作在开关状态。 1. 半导体二极管： 是不可控的，利用其开关特性可构成二极管与门和或门。 2. 半导体三极管： 是一种用电流控制且具有放大特性的开关元件， 利用三极管的饱和导通与截止特性可构成 非门 和其它 TTL 集成门电路。 3. MOS管： 是一种具有放大特性的由电压控制的开关元件，利用 N 沟道 MOS 管和 P 沟道 MOS 管可构成CMOS 反相器和其它 CMOS 集成门电路。 二、分立元件门电路 主要介绍了由半导体二极管、三极管和 MOS 管构成的与门、或门和非门。 虽然，分立元件门电路不是本章的重点，但是通过对这些电路的分析，可以体会到与、或、非三种最基本的逻辑运算，是如何用半导体电子电路实现的，这将有助于后面集成门电路的学习。 三、集成门电路 — 本章重点 主要介绍了 CMOS 和 TTL 集成门电路，重点应放在它们的输出与输入之间的逻辑特性和外部电气特性上。 1. 逻辑特性（逻辑功能）： 普通功能 — 与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门和异或门。 特殊功能 — 三态门、OC门、OD门和传输门。 2. 电气特性： 静态特性 — 主要是输入特性、输出特性和传输特性。 动态特性 — 主要是传输延迟时间的概念。 +VDD +10V B1 G1 D1 S1 uA uY TN TP B2 D2 S2 G2 VSS + - uGSN + - uGSP 2. 6 CMOS 集成门电路 2. 6. 1 CMOS 反相器 一、电路组成及工作原理 A Y 1 0V +10V uA uGSN uGSP TN TP uY 0 V UTN UTP 截止 导通 10 V 10 V UTN UTP 导通 截止 0 V UTN = 2 V UTP = - 2 V +10V RONP uY +VDD 10V S TN TP +10V RONN uY +VDD 0V S TN TP 二、静态特性 1. 电压传输特性： iD +VDD B1 G1 D1 S1 + uI - uO TN TP B2 D2 S2 G2 VSS A B C D E F UTN VDD UTH UTP UNL UNH AB 段： uI UTN ， uO = VDD 、 iD ? 0， 功耗极小。 0 uO /V uI /V TN 截止、TP 导通， BC 段： TN 导通，uO 略下降。 CD 段： TN、TP 均导通。 DE、EF 段： 与 BC、AB 段对应，TN、TP 的状态与之相反。 转折电压 指为规定值时，允许波动的最大范围。 UNL： 输入为低电平时的噪声容限。 UNH： 输入为高电平时的噪声容限。 = 0.3VDD 噪声容限： 2. 电流传输特性： iD +VDD B1 G1 D1 S1 + uI - uO TN TP B2 D2 S2 G2 VSS A B C D E F UTN VDD UTH UTP UNL UNH 0 uO / V uI / V A B C D E F 0 iD / mA uI / V UTH 电压传输特性 电流传输特性 AB、EF 段： TN、TP总有一个为 截止状态，故 iD ? 0 。 CD 段： TN、Tp 均导通，流过两管的漏极电流达到最大值 iD = iD（max) 。 阈值电压： UTH = 0.5 VDD （VDD = 3 ~ 18 V） 由于CMOS反向器的栅极和衬底之间有SiO2绝缘层，所以CMOS反向器正常工作时，有II=IG=0成立。 但绝缘层非常薄，极易击穿 , 所以，制作CMOS器件时， 集成了“输入保护电路”, 以保护绝缘层不被击穿。 输入保护措施是有限度的，使用时还必须注意器件的 正确使用方法。 2.6.2 CMOS反相器的静态 输入特性和输出特性 一、 输入特性 输入端保护电路: C1、C2 — 栅极等效输入电容 (1) 0 uA VDD (2) uA VDD + uDF D 导通电压： uDF = 0.5 ~ 0.7 V (3) uA - uDF 二极管导通时，限制了电容两端电压的增加。 D1、D2、D3 截止 D2、D3 导通 uG = VDD + uDF D1 导通 uG = - uDF 保护网络 +VDD uY uA TP D1 C1 C2 RS TN D2 D