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银河电器2N60规格书
Production specification
2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 2N60
FEATURES
RDS(on)=3.8Ω@VGS=10V. Pb
Ultra Low gate charge (typical 9.0nC) Lead-free
Low reverse transfer capacitance (Crss = typical 5.0 pF)
Fast switching capability
Avalanche energy specified
Improved dv/dt capability, high ruggedness
TO-251
MAXIMUM RATING operating temperature range applies unless otherwise specified
Symbol Parameter Value Units
VDSS Drain-Source voltage 600 V
Drain current continuous (T =25℃) 2.0
C
ID A
(TC=100℃) 1.26
IDP Drain current Pulsed (Note2) 8.0 A
VGSS Gate -Source voltage ±30 V
IAR Avalanche Current (Note2) 2.0 A
EAR Avalanche Energy Repetitive(Note 2) 4.5 mJ
EAS Avalanche Energy Single Pulse(Note 3) 140 mJ
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (Note4) 4.5 V/ns
Power Dissipation (T =25℃) 45 W
C
PD
Derate above 25 ℃
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