SDRAM 设备操作.doc

SDRAM 设备操作 1. 上电时序 SDRAM在上电时必须正确初始化，时序如下： 1. 加电和时钟开始，在输入端保持NOP状态； 2. 保持稳定的供电、时钟和NOP状态最少200us； 3. 对所有BANK执行预充命令； 4. 执行8个或更多个自动刷新命令； 5. 执行模式设置命令以初始化模式寄存器。 2. 模式寄存器设置 SDRAM有一个片上模式寄存器，用户可以对其进行编程，选择读/写DRAM期间的读延迟、突发长度和突发类型。在上电时序后，必须执行MRS命令以初始化设备。写数据到模式寄存器需要两个时钟周期，在MRS命令期间，其他命令无法执行。 3. 行有效 使用BANK激活命令可以激活SDRAM空闲BANK的任意行。在行有效最少tRCD时间延迟后突发读/写命令可以执行。激活另一BANK需要最少tRRD个延迟。已经处于激活状态的BANK不能再给予行有效命令，同样，当SDRAM正处于掉电、自刷新、自动刷新或时钟挂起状态时也不能给予行有效命令。 4. 读BANK 该命令用于对有效行的突发读。第一个有效数据出现在CAS#时钟延时后，CL只在读取时出现。 5. 写BANK 第一个有效数据可以与写命令和列地址同时输入，不受CAS#的影响。 6. 预充（PRECHARGE） 预充命令用于释放已打开的行货打开新的行。预充可以通过命令实现，也可以通过具有预充功能的读/写命令实现，即读/写操作后自动预充电。在发出预充命令后，要经过tRP个时钟发送行有效命令，如果超过这个延迟了，那么BANK会进入Idle状态。 执行读命令、写命令和预充命令时，A10决定预充模式。在执行预充命令时，如果A10为高电平，则对所有BANK执行预充，如果A10为低电平，则只对由BA1/BA0指定的存储体进行预充。在执行读/写命令时，如果A10为高电平，则读/写操作后进行自动预充，如果A10为低电平，则读/写后不进行预充操作。 7. 刷新（REFRESH） SDR SDRAM需要每64ms对所有行刷新一次，以保持存储体中的数据。刷新方式分两种：自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）。自动刷新用于正常操作模式，在自动刷新时，其他命令无法操作。而自刷新主要用于低功耗状态下的数据保存。 Altera SDR SDRAM控制器 Altera公司提供了一个符合工业标准的SDR SDRAM简单控制接口，该控制器由VHDL实现。SDR SDRAM控制器系统框图如下图所示。 SDRAM总线命令： 命令 缩写 RAS# CAS# WE# 无操作 NOP H H H 激活 Active ACT L H H 读操作 Read RD H L H 写操作 Write WR H L L 突发终止 Burst Terminate BT H H L 预充电 Percharge PCH L H L 自动刷新 AutoRefresh ARF L L H 装入模式寄存器 Load Mode LMR L L L SDRAM存储体在进行读/写操作前必须打开，行地址和体的打开使用命令ACT。当对某个存储体进行读/写操作时，如果行地址和当前行地址不同，则需要先关闭存储体，然后再打开它，关闭存储体使用命令PCH。 SDRAM 控制器命令接口 SDRAM控制器提供了一个和SDRAM之间的同步命令接口，以及几个命令寄存器。 命令 值 描述 NOP 000b 空操作 READA 001b 带自动预充SDRAM读操作 WRITEA 010b 带自动预充SDRAM写操作 REFRESH 011b SDRAM自动刷新 PERCHARGE 100b 对SDRAM所有存储体预充电 LOAD_MODE 101b SDRAM模式寄存器装入 LOAD_REG1 110b 装入控制器配置寄存器 LOAD_REG2 111b 装入控制器刷新周期寄存器 读命令（READA）：该命令指示SDRAM控制器执行带有自动预充的突发读命令，读地址由ADDR决定，SDRAM控制器会先发一个ACTIVATEE命令，然后是READA命令。突发读的首个数据在SDRAM控制器发出CMDACK后出现在DATAOUT上（RCD+CL+2），读期间DM应保持为低。当控制器配置为满页操作时，READA执行为不带自动预充突发读命令。命令顺序： ◆ 发出READA、ADDR、DM； ◆ SDRAM控制器发出CMDACK响应命令，同时向SDRAM器件发出命令； ◆ 在CMDACK后的一个时钟周期，发出NOP命令； ◆ CMDACK表示第一个突发读数据出现在DATAOUT上，以后每个数据随时钟输出。 写命令（WRITEA）：该命令指示SDRAM控制器执行带有自动预充的突发写命令，写地址由ADDR决定。控