[物理]第五章 非平衡载流子.ppt

* 扩散流密度为: 扩散流密度散度的负值就是单位体积内空穴的积累率: 在稳定情况下,它应等于单位时间在单位体积内由于复合而消失的空穴数,因此: 2、 三维稳定扩散 * ----- 三维稳态扩散方程 电子和空穴的扩散电流密度分别为: * 5.6 载流子既漂移又扩散的运动及爱因斯坦关系 * 1.载流子既漂移又扩散时的电流(一维情形) * 迁移率反映载流子在外电场作用下运动的难易程度 扩散系数反映载流子在有浓度梯度时运动的难易程度 两者的关系? * 2. 爱因斯坦关系的推导 考虑处于平衡态下的非均匀掺杂的n型半导体(一维)，则杂质浓度都是x 函数，可写为 和 浓度梯度的存在必然产生载流子的扩散，形成扩散电流，则有： * 电离杂质不能移动,而载流子的扩散有使载流子趋于均匀分布的趋势,结果导致半导体内部不再处处电中性,从而出现静电场E。静电场又引起载流子的漂移,漂移电流为: * 在平衡条件下不存在宏观电流，静电场的建立总是反抗扩散进行，平衡时电子的总电流和空穴的总电流分别为零，即: 对电子有： 又 (1) (2) * 由于V(x)存在，当考虑电子能量时，须计入附加的静电势，因而导带底的能量应写成 这样，在非简并条件下，电子浓度为： * 两边微分得： (2)(3)代入(1)得: 同理对于空穴也有: 爱因斯坦关系式 (3) * 利用爱因斯坦关系，可得半导体中总电流密度为 * 对于非均匀半导体，上式可改写为 ---半导体中同时存在扩散和漂移运动时的总电流密度表示式 * (?p)S 为表面处非平衡载流子浓度；S为常数，称之为表面复合速度。 实验表明： 定义表面复合率US：单位时间内通过单位表面积复合掉的电子-空穴对数。 * 5. 俄歇复合 载流子复合时，其产生的能量 传递给另一个载流子，使这个载流子激发到更高的能级。当此载流子重新回到低能级时，把能量传递给晶格，即以声子的形式释放能量。 俄歇复合：在重掺杂半导体中，俄歇复合是主要的复合机制。 * 6. 俘获截面* 假设复合中心为截面积 为的球体, 则俘获系数与俘获截面的关系为： 设， ?-为电子俘获截面， ?+为空穴俘获截面 ?的意义：复合中心俘获载流子的本领 * 复习: 非平衡载流子的复合的方式: 直接复合: 载流子的产生率和复合率 r为电子-空穴复合几率 撤销非平衡条件后,通过直接复合的产生的载流子的净复合率: 通过直接复合的消失的非平衡载流子的平均寿命： * 间接复合: 间接复合的四个微观过程: 甲：俘获电子。复合中心能级从导带俘获一个电子； 乙：发射电子。复合中心能级上的电子被激发到导带；（甲的逆过程） 丙：俘获空穴。电子由复合中心落入价带与空穴复合。 丁：发射空穴。价带电子被激发到复合中心能级。（丙的逆过程） * 电子俘获率Rn: (rn为电子俘获系数) 电子产生率Gn： (非简并情况，导带基本空着） s- ：电子发射系数 式中 n1恰好等于费米能级与复合中心能级重合时导带的平衡电子浓度。 (复习完) * 杂质和缺陷能级的主要作用： 起施主或受主作用 起复合中心作用 起陷阱效应作用 5.4 陷 阱 效 应 * 1. 陷阱效应： * 2. 陷阱效应的分析 在间接复合理论中，稳态复合情况下，复合中心上的电子浓度为： 显然，其与非平衡载流子浓度有关。 电子浓度和空穴浓度对nt的影响是相互独立的。 由于复合中心有着陷阱中心相似的作用,即也能积累非平衡载流子,因此可以借助前面的间接复合中心理论来分析陷阱中心的载流子情况. * (1)平衡态 * 只考虑△n 的影响，则有： (偏微分取值对应于平衡值) 由于电子和空穴对nt 的影响是相互独立的，因此小注入情况下，复合中心上积累的非平衡载电子浓度可写为： (2)非平衡态,小注入 * 首假设对电子和空穴的俘获能力相近，即： 上式中第二个因子总是小于1,因此要使?nt与?n可以相比拟,除非Nt可以与平衡载流子浓度之和(n0+p0)可以相比拟,否则没有明显的陷阱效应的. ?nt 表达式可以改写为: 也说明在电子和空穴的俘获能力相近时，不容易产生明显的陷阱效应。 * 而实际上,对典型的陷阱,虽然浓度较小,陷阱中的非平衡载流子浓度可以远远超过导带或价带中的非平衡载流子(少子),这说明什么？ 实际陷阱中,对电子俘获率和对空穴俘获率的差距常常大到可以忽略小的那一个的程度. 若rnrp,陷阱俘获电子后,由于俘获空穴(向价带发射电子)很难,被俘获的电子往往在复合前就受热激发又重新释放回导带。这种情形为电子陷阱。 若rprn,陷阱俘获空穴后,由于很难再俘获电子,回到价带的电子很容易重回到陷阱。这种情形为空穴陷阱。 典型陷阱对电子和空穴的俘获率应该有很大的差距！ * 现求?nt极大