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- 2018-02-15 发布于河南
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AON3611规格书
AON3611
30V Complementary MOSFET
General Description Product Summary
The AON3611 uses advanced trench technology to N-channel P-channel
provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 30V VDS (V) = -30V
complementary MOSFETs may be used in inverter and I = 5A I = -6A (V = ±10V)
D D GS
other applications.
RDS(ON) 50mΩ RDS(ON) 38mΩ (VGS = ±10V)
RDS(ON) 70mΩ RDS(ON) 62mΩ (VGS = ±4.5V)
D2 D1
DFN 3x3
Top View Bottom View Top View
S2 D2
G2 D2
S1 D1
G1 D1 G2 G1
S2 S1
N-channel P-channel
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted
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