[理学]第3章 逻辑门电路第五版.pptVIP

3.1 MOS逻辑门电路 3. 2 TTL逻辑门电路 3. 5 逻辑描述中的几个问题 3. 6 逻辑门电路使用中的几个实际问题 退出 第3章 逻辑门电路 3.1 MOS逻辑门电路 3.1.1 数字集成电路简介 3.1.2 逻辑电路的一般特性 3.1.3 MOS开关及其等效电路 3.1.4 CMOS反相器 3.1.5 CMOS逻辑门电路 3.1.6 CMOS漏极开路门和三态输出门电路 3.1.7 CMOS传输门 3.1.8 CMOS逻辑门电路的技术参数 3.1.9 NMOS门电路 数字集成电路可分为单极型电路和双极型电路。 单极型电路（即MOS电路）按照器件结构的不同形 式可分为：NMOS、PMOS、CMOS。其中CMOS电路（金属-氧化物-半导体互补对称逻辑门电路） 是占主导地位的逻辑器件。 CMOS的型号： 4000系列（基本的CMOS） 、4000B系列、74HC（高速的CMOS）和74HCT系列（与TTL兼容的高速CMOS ）、74VHC和74VHCT系列、74LVC系列、74AUC系列、54系列(军用) 目前常用的双极型电路是TTL（BJT-BJT)和ECL(射极耦合）系列。 TTL的型号： 74系列、74H系列、74L系列、74S系列、74LS系列、 74AS系列、74ALS系列、74F系列 3.1.1 数字集成电路简介 TTL集成逻辑门电路系列简介 1．74系列——为TTL集成电路的早期产品，属中速TTL器件。 2．74L系列——为低功耗TTL系列，又称LTTL系列。 3．74H系列——为高速TTL系列。 4．74S系列——为肖特基TTL系列，进一步提高了速度。 74S系列的几点改进： （1）采用了抗饱和三极管 代表符号 解决办法： 在BJT的基极和集电极之间并联一个肖特基二极管，把BJT的集电结正偏电压嵌位在0.4V左右，起到了抵制BJT过饱和的作用 原因：BJT工作在饱和时，发射结和集电结均正向偏置，集电结正偏电压越大，管子饱和程度越深 5．74LS系列——为低功耗肖特基系列。 6．74AS系列——为先进肖特基系列， 7．74ALS系列——为先进低 功耗肖特基系列。 （2）将Re2用“有源泄放电路代替”。 （3）输出级采用了达林顿结构。 （4）输入端加了三个保护二极管。 3.1.2 逻辑电路的一般特性 1、输入和输出的高、低电平 逻辑1或逻辑0对应的是一定的电压范围，例如，典型 工作电压为5V的74HC系列CMOS，输入电压在3.3V～5.0V 范围对应高电平逻辑1，0 ～1.5V范围对应低电平逻辑0。 不同系列的集成电路，输入和输出为逻辑1和0所对应 的电压范围也不同，一般给出4种逻辑电平参数： (1)输入低电平的上限值VIL（max） (2)输入高电平的下限值VIH（min） (3)输出低电平的上限值VOL（max） (4)输出高电平的下限值VOH（min） 2、噪声容限：逻辑门电路的输入高低电平有一个范围，即它的输入信号允许一定的容差 高电平的噪声容限：VNH= VOH（min） – VIH（min） 低电平的噪声容限：VNL= VIL（max）– VOL（max） 3、扇入数与扇出数 扇入数：门电路的输入端的个数。 扇出数：在正常工作情况下，所能带同类门电路的最大数目。 根据负载的性质不同可分为两种工作情况：拉电流负 载和灌电流负载。 拉电流负载：负载电流从驱动门流向外电路； 灌电流负载：负载电流从外电路流入驱动门。 1)、拉电流工作情况: IOH IIH IIH 2)、灌电流工作情况: IOL IIL IIL 4、传输延迟时间tPd tPHL——输出由高电平变为低电平的时间 tPLH ——输出由低电平变为高电平的时间 tPd=(tPHL+ tPLH)/2 由MOS管构成的MOS逻辑门电路是继TTL之后发展起来的另一种应用广泛的数字集成电路。由于它功耗低，抗干扰能力强，工艺简单，几乎所有的大规模、超大规模数字集成器件都采用MOS工艺。就其发展趋势看，MOS电路特别是CMOS电路有可能超越TTL成为占统治地位的逻辑器件。 MOS逻辑门电路简介: 场效应管（FET）有两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(IGFET)。 目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET（或MOS管），分为P沟道和N沟道MOS管两类，工作原理相似，其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。 3.1.3 MOS开关及其等效电路 MOS管开