[工学]3 光电信息转换.ppt

一、MOS光敏元的工作原理 所谓MOS结构：一般都以硅作为半导体衬底，在其上热生长一层二氧化硅(SiO2)，并在二氧化硅上面淀积具有一定形状的金属层。因为它是由金属(M)—氧化物(O)—半导体(S)三层所组成，故称MOS结构。 Metal Oxide Semiconductor 氧化物 （SiO2） 半导体 (P—Si) 金属 +U 电子 势阱 界面势 如果有光入射到半导体硅片上，在光子的作用下，半导体硅产生电子－空穴对，由此产生的光电子被表面的势阱所吸收。而空穴被电场排斥出耗尽区。 当在金属电极上加正电压U时，在电场的作用下，电极下Ｐ型区域里的多数载流子空穴被排斥、驱赶，形成了一个耗尽区。 而对于少数载流子电子，电场则吸引它到电极下的耗尽区。耗尽区对于带负电的电子来讲是一个势能很低的区域称为“势阱”。 工作原理（P型衬底） 势阱内吸收的光电子数量与入射到势阱附近的光强成正比。这样一个MOS结构单元就称光敏单元或一个象素；而将一个势阱所收集的若干个光生电荷称为一个电荷包。 通常在半导体硅片上制有成千上万个相互独立的MOS光敏单元，如果在金属电极上加上正电压，则在半导体硅片上就形成成千上万的个相互独立的势阱。 如果此时照射在这些光敏单元上是一副明暗起伏的图像，那么这些光敏元就会产生出一幅与光照强度相对应的光电荷图像，因而得到影像信号。 氧化物 （SiO2） 半导体 (P—Si) 金属 +U 电子 势阱 界面势 工作原理（P型衬底） 二、移位寄存器 移位寄存器：由金属电极、氧化物介质及半导体三部分组成，也是MOS结构，它不能使它受光照射，应防止外来光线的干扰。 在二氧化硅表面排列多个金属电极，三个一组成为一个传输单元，如图。 在一个传输单元的三个电极上分别加上电压Ua、Ub、Uc ，如图。 电荷移位（耦合）工作过程 　a　t=t1时 ，Ua=U，Ub=0,Uc=1/2U。a电极处于高电平，而b电极处于低电平，c电极处于两者之间，势阱分布如图（b）。a电极下势阱最深， b电极下不产生势阱，c电极下势阱介于两者之间 。 　b　t=t2时 ，Ua=1/2U，Ub=U,Uc=0。势阱分布如图（c）。a电极处势阱变浅， b电极处势阱变为最深。因此，a电极处的电子移向势阱最深的b电极处，即电子如图所示朝右方向移动了。 　c　t=t3时 ，Ua=0，Ub=1/2U,Uc=U。势阱分布如图（d）。b处势阱变浅， c处势阱变为最深。因此，b电极处的电子移向势阱最深的c电极处，即电子如图所示继续朝右方向移动。 　d　t=t4时 ，Ua=U，Ub=0,Uc=1/2U。势阱分布如图（e）。c处势阱变浅，电子移向势阱最深的a电极处。 结论： 经过一个周期t1-t4,原来a1电极下的电子移向a2;原来a2电极下的电子移向a3; 以此类推。 信号输出装置采用二极管，如图。E通过R给二极管加反向偏置电压，电子被转移到最后一个电极Cn后，被该电极收集，在电阻R上有电流流过，并转化成电压的变化，输出一个脉冲。 CCD 光信息 电脉冲 脉冲只反映一个光敏元的受光情况 脉冲幅度的高低反映该光敏元受光照的强弱 输出脉冲的顺序可以反映一个光敏元的位置 完成图像传感 特点：以电荷作为信号 基本功能：电荷的存贮和转移 CCD基本工作原理 信号电荷的产生 信号电荷的存贮 信号电荷的传输 信号电荷的检测 面阵CCD是按图象信息的处理要求而输出信号的。 面阵CCD实际上是由许多线阵CCD排成二维形式，它主要用于电视摄像中。 面阵CCD也可以用作固体摄像传感器来测量各种几何量，俗称摄像测量。 三、面阵CCD CCD输出信号一般为负极性视频信号，对CCD输出信号的处理方式很多，以下是几种典型的用于检测和控制的信号处理方式。 CCD－放大―二值化处理－计数； CCD－放大－滤波－比较整形－高频填脉冲－计数； CCD－放大－同步采样保持－高速A/D转换－存储－计算机图象处理； CCD－放大－滤波－变成全电视信号－存储（面阵CCD）。 五、CCD输出信号的处理方式 CCD动态测量细丝直径的原理如图所示。 六、CCD在动态测量直径中的应用 平行光线照射→CCD输出幅度不同方波→放大、二值处理→计数。 设所用的CCD有N0个光敏元，每个光敏元的大小为13μ，计数器计数为N，则细丝直径D为： D＝13（N0-N） 特点：由于是用脉冲计数测量，故光源的波动对测量精度影响不大，细丝的抖动也不影响测量精度，故可达到较高的测量精度。 如需要测量达到更高的分辨率，可用光学放大，如图所示。 如k=x/y=1/13，则实际上放大了13倍，此时 D＝13k(N0-N)=(N0-N) 注意，采用光学放大后，细丝在垂直于CCD反向的抖