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MOS中闪烁噪声的直观理解（3） 由于电流变化正比与氧化层陷阱数目的涨落，则 * MOS的诱生栅极噪声 * 高频情况下，通过栅极和沟道之间的分布电容Cgs，沟道电阻热噪声的高频分量将耦合到栅极输入电路，从而产生栅极感应噪声ing，则其功率谱密度与热噪声谱密度成比例，即 K是与栅源电压和漏源电压有关的系数。 MOS的诱生栅极噪声（2） 根据MOS的小信号模型，输入电导 当 * MOS的诱生栅极噪声（3） 则有 * MOS的诱生栅极噪声（4） 可见，诱生栅极噪声与频率的平方成正比。 * MOS的噪声特性总结 主要噪声源： ① 沟道热噪声 (与频率无关); ② 诱生栅极噪声 (与频率的平方成正比); ③ 与表面等有关的1/f噪声 (与频率成反比). * f 沟道电流涨落 (低 频 段) (高 频 段) 1/ f f 2 白噪声 MOSFET中的噪声 参考书籍 Carlos Galup-Montoro, Marcio Cherem Schneider. MOSFET Modeling for Circuit Analysis and Design. World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd. 2007, Singapore * 噪声源 MOS器件的本底噪声是器件中电压和电流的自发涨落，与电子电荷的离散性紧密相关。 噪声的影响受器件及其所在电路放大能力的限制。 外界噪声可以通过适当的屏蔽处理进行减弱或消除，但是本底噪声由器件自发产生，不能完全消除。 * 噪声源 MOS器件的本底噪声包括热噪声（Thermal Noise）、散粒噪声（Shot Noise）和闪烁噪声（Flicker noise） 沟道的热噪声会产生诱生栅极噪声。 * 热噪声 热噪声（Thermal Noise）在任何热平衡的电阻中都存在。其物理本质是电子与热激发原子的随机碰撞，类似于小颗粒在液体中的布朗运动。 对于布朗运动的处理，采用平衡态统计力学处理。 * 热噪声的物理模型 对热平衡态的电子，其每个自由度的平均势能为kT/2，平均总能量为kT，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。 对于导线或半导体器件中的热噪声电流，从时域上看是在零点上下的波动，即有前后两个自由度方向的运动，因此噪声能量为2kT。 * 热噪声的物理模型（2） 考虑产生的噪声电流能量E为I2RΔt，则电子须提供2E的能量4kT。 Δt为任意间隔时间，对应为任意频率间隔Δf，原因为布朗运动的发生是随机的，在任意时间均可能发生。 则均方噪声电流表示为 * G为电导 热噪声的物理模型（3） 则电流噪声谱密度 同理电压噪声谱密度 * 热噪声的物理模型（4） 可见，热噪声谱密度与频率无关，所有频率上具有相同的噪声功率，这种噪声称为白噪声。 事实上，当温度很低或频率很高时，电子运动模式发生变化，噪声谱密度会发生变化。 * 热噪声的物理模型（5） 添加噪声的电阻模型为： 添加噪声电流源 添加噪声电压源 * 散粒噪声 散粒噪声（Shot Noise）与随机越过势垒的载流子有关。 在半导体器件中，越过PN结的载流子的随机扩散以及电子空穴对的随机产生和复合导致流过势垒的电流在其平均值附近随机涨落，引起散粒噪声。 散粒噪声存在于真空管和半导体器件中。 * 散粒噪声（2） 肖特基推导了散粒噪声电流公式 IDC为通过势垒的平均直流电流。 同样，散粒噪声谱密度与频率无关，所有频率上具有相同的噪声功率，散粒噪声同样也是白噪声。 * 散粒噪声（3） 散粒噪声只与通过势垒的平均直流电流有关。因此，为了减少散粒噪声的不利影响，流过器件的直流电流应越小越好，尤其是放大器的前置级。 * 散粒噪声与热噪声的关系 考察电阻中截面为Δy Δz、长Δx的一段。 A端电子浓度n（x），B端电子浓度n（x+ Δx）。 由于晶格碰撞，电子可以随机从一端扩散到另一端。 从A端到B端的扩散电流为 a为常数 * 散粒噪声与热噪声的关系（2） 从B端到A端的扩散电流为 * 散粒噪声与热噪声的关系（3） 则总电流为 Dn=a Δx2为电子扩散系数 * 散粒噪声与热噪声的关系（4） 在平衡态时， Δnn，则 对应两个方向电流的散粒噪声为 * 散粒噪声与热噪声的关系（5） 根据扩散爱因斯坦关系 则 * 散粒噪声与热噪声的关系（6） 当满足爱因斯坦关系（即非简并平衡态），一般情况下为大尺寸半导体器件不工作（工作电流为0）或无势垒（MOS开启）时，散粒噪声退化为热噪声。 * 闪烁噪声 电子器件的闪烁噪声（Flicker Noise）是由两种导体的接触点电导的随