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CPU 技术介绍及CPU识别测试 技术简介: CPU是中央处理器（central Processing Unit）的简称.本章节主要介绍目前市场上主流CPU的技术和在CPU测试过程中所需要的软件和测试流程。 1．Intel系列CPU　　 Pentium III Coppermine （左边的为coppermine—T，右边的为coppermine） Intel的pentium III 的CPU分为Slot 1架构PIII Katmai CPU和SOCKET370 的Coppermine，（其详细差异见表1），因为SLOT1的CPU，INTEL已经不生产，因此不作介绍。 Coppermine核心的PIII CPU，采用了0.18微米的制造工艺， Coppermine配有256K字节芯片的全速二级缓存，比Katmai的512K字节外部半速L2缓存更快。因为高级传输缓存被融入CPU的硅板中，就可以支持与处理器核心的256位资料连接，远远优于Katmai外部L2缓存的64位宽接口。从而使得PIII Coppermine可以从集成缓存中获得足够快的速度。虽然PIII Coppermine的代号Coppermine是铜矿的意思，但是仍然采用了铝导线技术。 表1 ? Katmai Coppermine 100 MHz FSB 450MHz---600 MHz 550EMHz---850 MHz 133 MHz(“B”) 533B, 600B MHz 533EBMHz---1000 MHz L2-缓存位置 外部 管芯 L2 Cache 512 KB 256 KB L2 Cache Interface 64 Bit 256 Bit L2 Clock Speed 1/2 CPU Speed 全 CPU speed L2 Associativity 4-way set 8-way set CPU Voltage 2.0V 1.65V (1.7V / 1GHz) 封装 Slot 1 Socket 370 PIII Coppermine具有以下优点： - 降低了核心电压，这样可以减少耗电量，减少了发热量，使得CPU能够以较低温度运行。 - 0.18微米的工艺可以制造出比0.25微米Katmai更小的管芯，这样既可以集成更多的晶体管，还可以降低成本，增加产量。 - 全速L2缓存可以使芯片的性能超过老式Slot 1 PIII。 - 可以通过使用256位宽L2缓存总线提供更好的性能。 - 0.18微米的制造工艺减了功耗和发热量，使得CPU更适于超频。 　注：E代表100MHz的外频和0.18微米制造工艺，而B结尾的CPU是133MHz外频。 1.2 Celeron II 在低端CPU市场，Intel推出的新CPU是Celeron II（赛扬 II）。赛扬II采用的是PIII Coppermine的核心，Celeron II同样采用0.18微米制造工艺，与Coppermine不同的是将Coppermine的片内L2 Cache容量减少一半，采用了和老赛扬量相同的128KB片内L2 Cache。L2 Cache与Coppermine一样也采用了高级传输L2 Cache（ATC）技术。因为Celeron II是针对低端市场的CPU，在大量的商业应用程序和高端应用中表现出来的性能比PIII Coppermine大打折扣，尽管这样，集成的全速缓存仍然使得Celeron II的整数性能有了很大提高。 　　Celeron II的核心工作电压为1.5V，远远低于老式Celeron的2.0V，甚至比PIII Coppermine的核心工作电压都低。这样低的工作电压保证了Celeron II在工作的时候，核心温度保持在较低的范围内。Celeron II也采用了FC-PGA的封装形式，改善了散热效果，很有利于超频。Intel在Celeron II中加入SSE指令集，使其具备了和低频PIII相抗衡的实力 1.3 Pentium 4 在2000年的6月，Intel公司宣布了其开发的下一代CPU命名为Pentium 4，也就是曾经命名为Willamette的CPU。在2000年的11月，Intel正式发布了Pentium 4处理器，该处理器没有采用P6架构，而是采用了全新的NetBurst架构，Pentium 4的管线长度是P6架构的两倍，达到了20级。管线的加长可以使得Pentium 4能达到更高的时钟频率，但是也使Pentium 4在每个时钟周期中的处理的命令数目比PIII Coppermine少，但是随着Pentium 4速度的提高，会克服这一点的。 　　最初的Pen