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試片清洗(RCA clean)實驗 地方:ME202 時間:2009/5/14 大綱 實驗目的 原理 藥品與儀器 實驗流程 注意事項 實驗步驟 實驗結果 實驗目的 晶圓清洗的目的，是以整個批次或單一晶圓，藉由化學品的浸泡或噴灑來去除髒污，並用超純水來洗濯雜質，主要是清除晶片表面所有的污染物，如微塵粒(Particle) 、有機物(Organic)、無機物、金屬離子(Metal -Ions)等雜質。 圖 晶圖柱 圖 晶圖片 污染物對半導體元件電性的影響 微塵粒（Particle) 在元件的製作過程中，塵粒主要的問題是對光罩（mask）的影響，會造成局部區域無法依原先的設計至做出元件。 有機物(Organic) 當晶圓上受有機物污染時，會造成接觸電阻增加、閘極氧化膜之耐壓下降。 污染物對半導體元件電性的影響-續 金屬離子(Metal-Ions) 存在會造成元件電性直接的劣化。包括接合漏電流(leakage current)、閘極絕緣膜耐壓不佳、平帶(Flat Band)電壓偏移..等。 Silicon substrate 有機物 微塵粒 金屬離子 原生氧化層 原理 H2SO4:H2O2 在進行RCA清洗之前，若是晶圓表面沾附有機物污染，會造成疏水性表面，使接續之純水溶液清洗步驟效率大減，有機物污染可藉由H2SO4加H2O2混合液，利用H2SO4之強氧化性來破壞有機物中之碳氫鍵結。硫酸可以造成有機物使脫水而碳化，而雙氧水可將碳化產物氧化成一氧化碳或二氧化碳氣體。 Silicon substrate 移除有機物 原理 NH4OH:H2O2:H2O (SC1) SC1溶液作用為利用NH4OH之弱鹼性來活化矽晶圓表層，去除晶圓表面之塵粒吸附，此外NH4OH具強化合力，也可氧化及去除輕微的有機物污染及部份金屬原子污染。溶液的雙氧水可將矽晶圓氧化並生成二氧化矽氧化層，由於溶液中含有氨水，為鹼性溶液，可將生成之氧化層水解溶除，而使吸附氧化層上的塵粒脫除。 Silicon substrate 移除微塵粒 原理 HCl:H2O2:H2O (SC2) SC2溶液利用HCl所形成之活性離子易與金屬離子化合之原理，可溶解鹼金屬離子和鋁、鐵及鎂之氫氧化物，此乃藉由鹽酸中氯離子與殘留金屬離子形錯合物而溶解於水溶液中。 Silicon substrate 移除金屬離子 原理 HF:H20 (去除原生氧化層) 晶圓表面暴露在空氣中，接觸空氣中的氧分子或水汽， 在常溫下即會生長一層很薄的氧化層約5~10A，稱為原生氧化層。因此矽晶圓經過SC1和SC2溶液清洗後，由於雙氧水的強氧化力，在晶圓表面上會生成一層SiO2氧化層（11.5nm）。稀釋氫氟酸水溶液（1%）在室溫下與SiO2形成H2SiF6(氫氟矽酸)，被用以去除原生氧化層，去除氧化同時，含在矽晶體圓表面形成矽氫鍵，而呈現疏水性。 Silicon substrate 移除原生氧化層 藥品與儀器 藥品 H2SO4(硫酸)、H2O2(雙氧水)、NH4OH(氫氧化銨)、HCl(鹽酸)、HF(氫氟酸)、N2(氮氣) 儀器 量杯、燒杯、加熱盤 實驗流程 注意事項 先到入H2O,在倒入酸或鹼,若有H2O2則最後倒 在使用氫氟酸時，要非常小心，它對因此在接觸時，常不會立即的疼痛，而對骨頭部份造成腐蝕及去鈣化 實驗步驟 先將矽晶圓沖洗DI.water 配製H2SO4 :H2O2=3:1之溶液，並將溶液加熱至75°C ~ 85°C，放入矽晶圓煮10分鐘。例如先倒150ml硫酸，再倒50ml雙氧水。 50ml 150ml 硫酸 雙氧水 影片 實驗步驟-續 在將矽晶圓沖洗DI.water 配製NH4OH:H2O2:H2O=0.25:1:5之溶液，並將溶液加熱至75°C ~ 85°C，放入矽晶圓煮10分鐘。例如先到200ml的去離子水，再倒10ml氫氧化銨，最後在倒40ml的雙氧水。 200ml 10ml 40ml 去離子水 氫氧化銨 雙氧水 影片 實驗步驟-續 在將矽晶圓沖洗DI.water 配製HCl:H2O2:H2O=1:1:6之溶液，並將溶液加熱至75°C ~ 85°C，放入矽晶圓煮10分鐘。例如先倒180ml的去離子水，再倒30ml之鹽酸，最後在倒30ml之雙氧水。 180ml 30ml 30ml 去離子水 鹽酸 雙氧水 影片 實驗步驟-續 在將矽晶圓沖洗DI.water 配製HF:H2O=1:100之溶液，並將矽晶圓浸泡到不沾水為止(約1分鐘) 在將矽晶圓沖洗DI.water 最後用氮氣吹乾 稀釋氫氟酸 矽晶圓 未泡氫氟酸 泡氫氟酸 影片 結果 完成以上的實驗得到乾淨的晶圓片 Thank you for your attention!!