[信息与通信]激光调制技术.ppt

1. 纵向电光调制（通光方向与电场方向一致） 电光晶体(KDP)置于两个成正交的偏振器之间，其中起偏器P1的偏振方向平行于电光晶体的x轴，检偏器P2的偏振方向平行于y轴，当沿晶体z轴方向加电场后，它们将旋转45o变为感应主轴x’,y’。因此，沿z轴入射的光束经起偏器变为平行于x轴的线偏振光，进入晶体后(z=0)被分解为沿x’和y’方向的两个分量，两个振幅(等于入射光振幅的1/ ）和相位都相等．分别为： 图1．2—5是一个纵向电光强度调制的典型结构。 或采用复数表示， 即 E x’(0)=Acosωc t E y’(0)=Acosωc t 由于光强正比于电场的平方，因此，入射光强度为 当光通过长度为L的晶体后，由于电光效应，E x’和E y’二分量间就产生了一个相位差 ，则 E x’（L）= A E y’（L）= Aexp(-i ) (1.2-28) E x’ =Acosωc t E y’ =Acosωc t 那么，通过检偏器后的总电场强度是E x’(L)和E y’（L）在y方向的投影之和，即 y Y’ x X’ 45o 45o 后一步考虑了(1.2—19)式和(1. 2—20)式的关系（见下页）。 (1.2-29) 与之相应的输出光强为： (1.2-30) 将出射光强与入射光强相比[(1.2-29)公式/ (1.2-28)公式]得： 注意公式： 上一讲的(1.2—19)式和(1. 2—20)式如下： (1.2-30)式中的T称为调制器的透过率。根据上述关系可以画出光强调制特性曲线,如图1.2-6所示。由图可见，在一般情况下,调制器的输出特性与外加电压的关系是非线性的。 Vπ和Vλ/2 是一回事。 1 2 2 1 3 3 4 4 5 5 若调制器工作在非线性部分,则调制光将发生畸变。为了获得线性调制，可以通过引入一个固定的 ／2相位延迟，使调制器的电压偏置在T＝50％的工作点上。常用的办法有两种： V 式中，△?m = ?Vm/V? （相当于1.2-30式中的 △? ）是相应于外加调制信号最大电压vm的相位延迟。其中Vm sinωmt 是外加调制信号电压。 其一，在调制晶体上除了施加信号电压之外，再附加一个 Vλ/4 的固定偏压，但此法会增加电路的复杂性，而且工作点的稳定性也差。其二，在调制器的光路上插入一个1／4波片(1.2-5图)其快慢轴与晶体主轴x成45o 角，从而使E x’和E y’二分量间产生 ?/2 的固定相位差。于是，(1.2-30)式中的总相位差 因此，调制的透过率可表示为 （1.2-31) 利用贝塞尔函数恒等式将上式 展开，得 （1.2-32) 由此可见，输出的调制光中含有高次诣波分量，使调制光发生畸变。为了获得线性调制，必须将高次 谐波控制在允许的范围内。设基频波和高次谐波的幅值分别为I1和I2n+1, 则高次谐波与基频波成分的比值为 (1.2-33) 若取 ＝1rad， 则J1 (1)=0.44, J3(1)=0.02, 所以I3 /I 1 =0.045，即三次谐波为基波的4.5%。在这个范围内可以获得近似线性调制，因而取