LED晶粒制程简介.PDFVIP

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2018-02-16 发布于天津
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LED晶粒制程简介

LED LED 發光二極體～發光二極體～晶粒製程簡介晶粒製程簡介 Chen Chin-nan 認識晶粒發光原理：利用半導體電洞(P型)及電子(N型) 結合，放出光子。結構不同，亮度不 (材料不同, 波長不同) 同磊晶製程簡介磊晶層基板 Epitaxy 基板 (MOCVD) P-cladding (P-type半導體包覆層) 磊晶層 Active layer (發光層) 基本疊構 N-cladding (N-type半導體包覆層) MOCVD 晶片製程簡介前段 Epi-wafer 電極製作 (蒸鍍/黃光/蝕刻) 後切裂 100%點測外觀檢 Sorting 包裝段 (半切/全切) (紀錄光/電特性/ (設備檢) ( 目檢) 分BIN) 紅光LED 藍/綠光LED 紅藍綠 QA 圖一：Al2O3 圖二：Al O 晶棒圖三：Al O 基板 2 3 2 3 磊晶材料與發光顏色磊晶方法比較高亮度 LED 回上頁有機金屬氣象沉積(MOCVD) 原理：說明：利用在反應爐中通入欲化合元素與有 1. 常用來提供第三族元素(鋁、鎵和銦) 來源的有機化合物為：機根所形成的氣體，使其在基板產生有機化合物化學反應並形成想得到的材料薄膜。 (1) 三甲基鋁(Trimethyl-Aluminum