介质振荡器设计.PDFVIP

介质振荡器设计 Students ’sNames 介质振荡器设计 摘要 介质谐振器由低损耗、高介电常数、温度稳定性好和高Q值的陶瓷材料制成。 它相对与金属腔体谐振器有着耦合方便、体积小和易于集成的特点，因此在MIC 电路中得到广泛地应用。此次设计为振荡频率为6GHz 的介质振荡器，此振荡器 采用并联反馈结构，设计中使用MWO和HFSS联合仿真，输出功率为10.7dBm， 二次谐波抑制为 15dBc ，相位噪声特性： -112.1dBc/Hz@10KHz ， -137.9dBc/Hz@100KHz ，158.5dBc/Hz@1MHz。 2 介质振荡器设计 目录 摘要2 1.DRO设计原理4 1.1振荡器的虚地理论4 1.2开环G参数设计振荡器5 2. 仿真过程6 2.1 电路偏置网路设计6 2.2 DR仿真7 2.3 DRO起振条件仿真9 2.4 DRO harmonic balance仿真 12 总结 16 致谢 16 参考文献 16 作者简介 17 3 介质振荡器设计 1.DRO设计原理 1.1振荡器的虚地理论 虚地理论是一种能够将放大器网络和谐振网络分离开来的振荡器设计分析 方法，对于闭环的振荡器，准确设计它的基础在于正确地分析它放大网络和谐振 网络，通过虚地理论可以将复杂的振荡器网络变的清晰明了，可以有针对性的分 析网络中的元件对电路整体性能的影响。此方法通常把晶体管的射极（源极）设 为虚地点，具体过程如下图： （a ） （b ） （c ） （d ） 图1 虚地理论分析过程 4 介质振荡器设计 首先选取图（a ）中晶体管的发射级A点处为虚地点，得到图（b）的电路形 式。然后将图（b）电路进行结构变形，可以得到图（c ）的电路形式。这时电路 就分解为BJT放大器和LC谐振回路，如图（d ）所示。 通过虚地理论将振荡电路拆分后，我们可以运用修正后的S参数（G参数）来 分析电路的起振情况。 1.2开环G参数设计振荡器 在介绍G参数之前，首先来分析振荡器的起振条件。满足自激振荡条件的点 为：波特图中增益函数相位曲线零点处增益大于0 dB，且此点相位曲线斜率为负。 起振时， G + G 0dB ,φA +φD = 2nπ (n = 0,1,2… … ) (1) A D 公式中， 和 分别为放大器和谐振选频网络的增益； 和 分别为放 GA GD φA φD 大器和谐振选频网络的相移。由于放大器的非线性，放大器的增益随输入信号幅 度的增加而下降，使得G