低温外延制结晶硅太阳电池中发射极的快速-南昌大学-光伏研究院.PDFVIP

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2018-02-16 发布于天津
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低温外延制结晶硅太阳电池中发射极的快速-南昌大学-光伏研究院

低温外延制结晶硅太阳电池中发射极的快速热处理改性崔冶青，高江，宁武涛，黄海宾，周浪南昌大学太阳能光伏学院/材料学院报告提纲  背景介绍  热处理改性的工艺对太阳电池性能的影响  结论晶硅太阳电池p-n结制备技术现状现状优点缺点制备浅结时均匀性差， POCl 扩散制结成熟，业内主流工艺成熟，成本低重复性差 3 POCl 危险性大 3 已有产线(Intevac 掺杂元素的分布精价格高( 目前？？) 公司、应用材料公离子注入确可控设备稳定性有待提高司) 转换效率高 ( 目前？？) 技术发展中无毒，无污染，磷酸喷涂+在线连已有产线(BTU公司) 转换效率略低均匀性好，自动化续扩散炉系统技术发展中？？链条金属污染硅片？程度高均匀性好，掺杂元发展中，实验室阶素的分布精确可控低温气相外延制结尚未发现？？？段可集成选择发射极、局域背电场等技术低温气相外延制p-n结技术简介 • 低温气相外延+高温快速热处理两步法获得所需掺杂元素浓改善晶格质量，减少界面缺陷度分布的晶化硅薄膜提高掺杂活性低温气相外延制p-n结技术简介 • 与POCl 扩散的工艺流程对比 3 清洗制绒等沉积氮化硅等 POCl3 刻边去磷硅扩散玻璃清洗制绒等沉积氮化硅等低温气快速热刻边相外延处理热处理改性的工艺对太阳电池性能的影响（a ） (b) （a ）低温外延制结太阳电池结构示意图