制备掺杂镓铝氧化锌陶瓷靶材以射频磁控溅镀系统沉积透明导电薄膜.PDF

製備摻雜鎵鋁氧化鋅陶瓷靶材以射頻磁控濺鍍系統沉積透明導電薄膜之光電性質研究 製備摻雜鎵鋁氧化鋅陶瓷靶材以射頻磁控濺鍍系統沉積透 明導電薄膜之光電性質研究 戴念澤 翁文彬 工程技術研究所 化工與材料工程系 摘要 本研究主要分為兩大部分：(一) 製備陶瓷靶材與(二)製備透明導電薄膜。利用射頻 磁控濺鍍系統在光學玻璃上製備透明導電薄膜。在製備陶瓷靶材方面，靶材之 Al O 摻 2 3 雜量，分別為 0wt%至 6wt% ，Ga O 摻雜量，分別為 6wt%至 0wt% ，兩種元素最大摻雜 2 3 量為 6 wt% ，每增加減少1wt% ，藉由Zeta Probe 與粒徑分析儀探討陶瓷粉末添加分散劑 (PMAA Mw ：9,500 、PAA Mw ：240,000 、PAA Mw ：5,000 、PMAA Mw ：4000~6000)之 分散效果，並利用 SEM及 XRD 探討陶瓷材料燒結後表徵。而在透明導電膜物性研究方 面，利用 SEM、XRD及 α-step 探討不同摻雜量對於微結構與膜厚之變化，並以 Hall effect 與 UV-VIS 分析不同摻雜量之薄膜對於電阻率、載子濃度、遷移率與可見光波常範圍內 透光率之影響。 由結果可知，製備陶瓷實驗以傳統陶瓷製程，升溫速率在 1000℃前以 3℃/min 並在 以升溫速率 1℃/min 到達 1400℃持溫 8 小時燒結，在不同摻雜量之陶瓷靶材將可得到 12%~16%收縮率以及 82%~91%之相對密度。再將不同摻雜比例靶材利用射頻磁控濺鍍 -3 系統製備透明導電薄膜，製程條件以濺鍍功率為 100W 、工作壓力為2.7×10 torr 左右、 沉積時間為 60min 、工作氣氛為氬氣(Ar)流量 10sccm ，由研究顯示出，Al O 摻雜增加 2 3 電阻率伴隨著提高，因為生成過多 ZnAl O 結晶相，使得濺鍍時不易濺鍍在光學玻璃， 2 4 薄膜厚度隨之降低。反之，Ga O 摻雜量提高對於電阻率有明顯的降低，可達到 2 3 -3 2.09×10 Ωcm ，可見光範圍平均透光率約在80 至 85%左右。 關鍵詞： 透明導電薄膜，陶瓷靶材，GZO ，AZO 。 1.緒論 射沉積法以及磁控濺射法 (3) 。眾多成膜方 1.1前言 法當中，以濺鍍方是最可得到較整齊完善 近年來半導體產業之發展，進而帶動 之透明導電薄膜，主要沉積速率穩定、均 著通訊與光電產業，隨著光電產業蓬勃發 勻性佳、電漿製程容易控制薄膜特性。因 展，不斷有創新之材料被發展出來，透明 此本研究使用磁控濺鍍製程透明導電膜。 導電膜即為 LCD 產業之重要材料。所謂的 為了使可見光達到一定透光率，能隙寬 透明導電膜定義為在可見光波長範圍 度須大於 3eV 以上之能量，一般而言，氧 (380-780nm)下，透光率達到 80%以上，電 化物半導體在室