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[研究生入学考试]计算机组成原理大纲解析3-4

计算机组成原理 考研复习 第三章 存储器层次结构 考点分析: 存储器层次结构是组成原理这门课的重点,大家在复习这一章的时候要注意Cache-主存-外存的层次结构,对比Cache-主存和虚拟存储器的相关思想、原理和方法。    本章是综合应用题常考点,典型的考题包括Cache的三种不同映像方式的相关计算,主存芯片的字扩展和位扩展方案设计以及虚存相关地址转换的内容。 (一) 存储器的分类 (二) 存储器的层次化结构 (三) 半导体随机存取存储器 1. SRAM 存储器的工作原理 2. DRAM 存储器的工作原理 3. 只读存储器 (四) 主存储器与 CPU 的连接 (五) 双口 RAM 和多模块存储器 (六) 高速缓冲存储器(Cache) 1. 程序访问的局部性原理 1. Cache 的基本工作原理 2. Cache 和主存之间的映射方式 3. Cache 中主存块的替换算法 4. Cache 写策略 (七) 虚拟存储器 存储器的分类(识记) 包括各种不同的分类方式,不同存储器的对比识记 存储器的层次化结构(理解) 理解Cache-主存-外存的层次结构设计的原理和目的理解 半导体随机存取存储器 SRAM存储器的工作原理 DRAM存储器的工作原理 注意DRAM刷新相关问题,以及SRAM和DRAM的对比(断电后不能保存信息;SRAM存取速度快,但容量不如DRAM大。) 只读存储器 知道有PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory 等不同种类的ROM 主存与CPU的连接(熟练掌握) 这是解决主存扩展问题的基础 ① 地址线的连接; ② 数据线的连接; ③ 控制线的连接。 【例3】 CPU的地址总线16根(A15—A0,A0为低位),双向数据总线8根(D7—D0),控制总线中与主存有关的信号有MREQ(允许访存, 低电平有效),R/W(高电平为读命令,低电平为写命令)。 主存地址空间分配如下:0—8191为系统程序区,由只读存储芯片组成;8192—32767为用户程序区;最后(最大地址)2K地址空间为系统程序工作区。上述地址为十进制,按字节编址。 现有如下存储器芯片:EPROM:8K×8位(控制端仅有CS);SRAM:16K×1位,2K×8位,4K×8位,8K×8位。 请从上述芯片中选择适当芯片设计该计算机主存储器,画出主存储器逻辑框图,注意画出选片逻辑(可选用门电路及3∶8译码器74LS138)与CPU 的连接,说明选哪些存储器芯片,选多少片。 (五) 双口 RAM 和多模块存储器 双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器。前者采用空间并行技术,后者采用时间并行技术。 Cache的基本工作原理 Cache和主存之间的映射方式 不同映射方式的对比,以及相关的计算 Cache中主存块的替换算法 理解不同的替换算法的思想 Cache写策略 了解写直达和回写的原理和目的 cache的基本原理 解决CPU和主存之间速度不匹配的问题 CPU与cache之间的数据交换以字为单位 Cache与主存间的数据传送以数据块为单位 Cache的相关计算 命中率(Hit Rate): 主存与Cache的地址映射 全相联映射(fully associative mapping) 可以将一个主存块存储到任意一个Cache行 直接映射(direct mapping) 将一个主存块存储到唯一的一个Cache行 组相联映射(set associative mapping) 可以将一个主存块存储到唯一的一个Cache组中任意一个行 全相联映射 直接映射 组相联映射 Cache中主存块的替换算法 全相联和组相联,需要选择替换策略(算法) cache的写操作策略 写入策略解决主存内容的更新问题,保持正确 写回法(write back) 只写入Cache,在被替换时才写回主存 全写法(write through) 写入Cache的同时也写入主存 写一次法 写命中与写未命中的处理方法与写回法基本相同,只是第一次写命中时要同时写入主存 虚拟存储器的基本概念 页式虚拟存储器 段式虚拟存储器 段页式虚拟存储器 TLB(快表) 虚拟存储器的基本概念 虚拟存储器: 在主存-外存层次间 借助于磁盘辅助存储器实现 以透明方式提供给用户 作用: 扩大主存容量,提高辅存访问速度,有效管理存储系统 虚拟存储器的基本概念 虚存机制要解决的关键问题 (1) 调度问题:决定哪些程序和数据应被调入主存。 (2) 地址映射

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