总剂量效应致013μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场.PDF

总剂量效应致0.13 m部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 周航 郑齐文 崔江维 余学峰 郭旗 任迪远 余德昭 苏丹丹 Enhancedchannelhotcarriereffectof0.13 msilicon-on-insulatorNmetal-oxide-semiconductorfield- effecttransistorinducedbytotalionizingdoseeffect Zhou Hang Zheng Qi-Wen Cui Jiang-Wei Yu Xue-Feng Guo Qi Ren Di-Yuan Yu De-Zhao Su Dan-Dan 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,096104(2016) DOI: 10.7498/aps.65.096104 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.096104 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I9 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 Dose-ratesensitivityofdeepsub-microcomplementarymetal oxide semiconductor process 物理学报.2016,65(7): 076102 /10.7498/aps.65.076102 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 Reliabilityof partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect tran- sistorundertheionizingradiationenvironment 物理学报.2015,64(8): 086101 /10.7498/aps.64.086101 深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究 Radiationeffectofdeep-submicronmetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistorandparasitictransis- tor 物理学报.2014,63(22): 226101 /10.7498/aps.63.226101 静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法 Onlineandofflinetestmethodoftotaldoseradiationdamage on staticrandom access memory 物理学报.2014,63(8): 086101 /10.7498/aps.63.086101 Co- 射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究 Researchondarksignaldegradationin Co -ray-irradiatedCMOSactivepixelsensor 物理学报.2014,63(5): 056102 /10.7498/aps.63.056102 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 9 (2016) 096104 总剂量效应致0.13 m部分耗尽绝缘体上硅N型 金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子 增强效应 周航 郑齐文 崔江维 余学峰 郭旗 任迪远 余德昭 苏丹丹 1) (中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011) 2)(新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011) 3)(中国科学院大学, 北京 100049)