多孔矽材料理论.PDF

第二章 多孔矽材料理論 2-1矽晶圓形成多孔矽表面機制 將矽晶圓經由陽極電化學蝕刻，經由代表陽極氫氟酸(HF)溶液中反 應 ，陰極為抗酸鹼且活性小的金屬不輕易形成氧化物的金屬如黃金或 是白金 則矽晶圓表面產生蝕刻的化學反應， ，在表面上形成孔洞或是 島塊 ，側面則是形成矽柱結構 蝕刻作用會隨矽晶圓的結晶方向向下， 蝕刻且不造成本身結晶方向的變異 ，而矽晶圓分P-type silicon 與 N-type silicon 兩型，P-type silicon電洞多且為正向偏壓 ，不需照光或 是高電壓即可產生進行蝕刻作用 ，N-type silicon電子多且是負向偏 壓 ，則需照光或是高電壓來增加電洞 ，結合 P-type silicon 與N-type silicon矽晶圓 ，形成PN-type 來克服電子電洞對的不足。形成的理論 大多以T. Unagami et al.為主的說法 ，在形成多孔矽時 ，表面產生多孔 膜層 (Surface Porous Film,SPF)進而形成多孔矽層(Poruos Silicon Layer,PSL) ，而在反應剛開始SPF會溶於氫氟酸 (HF)水溶液中呈現 飽和狀態 ，下列則用 Disproportionation反應來表示 : + + - a ）Si+2HF+(2-n)h →SiF+2H +ne （ 2 * （b ）2SiF →Si+SiF 2 4 （c ）SiF +2HF→H SiF 4 2 6 * H SiF 是可溶解於水的化合物 ，而SPF 為 Si 沉積物 ，SPF只產生 2 6 於PSL 一開始飽和即不再反應 ，之後才產生多孔矽反應 ，其反應分 成二價反應與四價反應 ，分別如下 ： 二價反應： + + - （d ）Si+2HF+(2-α)h →SiF+2H +αe 2 （e ）SiF +2HF→SiF+H 2 4 2 （f ）SiF +2HF→H SiF 4 2 6 在此 α小於2 四價反應： （ + + - g ）Si+4HF+(4-β)h →SiF+4H +βe 4 （h ）SiF +2HF→H SiF 4 2 6 在此 β小於4 。 The disproportionation reaction for SPF: + + - Si+2HF+(2-n)h →SiF+2H +ne 2 * 2SiF →Si+SiF 2 4 SiF +2HF→H SiF Where n2 4 2 6 圖 2-1-1 多孔矽電化學蝕刻機制示意圖[21] The divalent anodic reation + + - Si+2HF+(2-α)h →SiF +2H +αe 2 Si