晶体缺陷及其在半导体材料方面的应用-北京大学化学与分子工程学院.PDF

晶体缺陷及其在半导体材料方面的应用 隋春宁 张骏 曹自强 官亚夫 2008 年 11 月 19 日 目 录 摘要 1 关键词 1 引言 2 1.晶体缺陷的定义和分类 2 1.1 晶体缺陷的定义 2 1.2 晶体缺陷的分类 3 1.2.1 H. Pick 分类法 3 1.2.2 几何分类法 3 2.半导体材料简介 4 2.1 半导体材料的定义 4 2.2 半导体材料的特点 4 2.3 半导体材料的应用 4 3.几种重要的晶体缺陷及其在半导体材料方面的应用 5 3.1 本征点缺陷及本征半导体 5 3.1.1 本征点缺陷的定义 5 3.1.2 本征半导体的定义 5 3.1.3 本征半导体的导电原理 5 3.1.4 本征点缺陷的实际应用 5 3.2 杂质点缺陷及杂质半导体 6 3.2.1 杂质点缺陷的定义 6 3.2.2 掺杂半导体的定义和导电原理 6 3.2.3 杂质点缺陷和掺杂半导体的实际应用 7 4 晶体缺陷的生长与控制 7 5 研究进展与展望 7 参考文献 9 1 摘要 少量晶体缺陷对于晶体的电磁学性能就能够产生重要影响，因而可以根据不同 的晶体缺陷，开发制备具有不同性能的半导体材料，以适应人们不同的实际需要。 本文简要介绍了晶体缺陷的定义和分类，以及不同晶体缺陷在半导体材料方面的应 用。 关键词 晶体缺陷 迁移 半导体 材料 1 引言 在讨论晶体结构时，我们认为晶体的结构是三维空间内周期有序的，其内部质 点按照一定的点阵结构排列。这是一种理想的完美晶体，它在现实中并不存在，只 作为理论研究模型。相反，偏离理想状态的不完整晶体，即有某些缺陷的晶体，具 有重要的理论研究意义和实际应用价值。所有的天然和人工晶体都不是理想的完整 晶体，它们的许多性质往往并不决定于原子的规则排列，而决定于不规则排列的晶 体缺陷。 晶体缺陷对晶体生长、晶体的力学性能、电学性能、磁学性能和光学性能等均 有着极大影响，在生产上和科研中都非常重要，是固体物理、固体化学、材料科学 等领域的重要基础内容。 对于半导体材料的制备和研究，研究晶体缺陷具有尤其重要的指导性意义。本 文着重对晶体缺陷及其在半导体材料工业方面的应用进行介绍。 1.晶体缺陷的定义和分类 1.1 晶体缺陷的定义 在理想的晶体结构中，所有的原子、离子或分子都处于规则的点阵结构的位置 上，也就是平衡位置上。1926 年 Frenkel 首先指出，在任一温度下，实际晶体的原 子排列都不会是完整的点阵，即晶体中一些区域的原子的正规排列遭到破坏而失去 正常的相邻关系。我们把实际晶体中偏离理想完整点阵的部位或结构称为晶体缺陷 [1] （defects of crystals ） 。 2 1.2 晶体缺陷的分类 1.2.1 H. Pick 分类法 [2] H. Pick 建议将晶体缺陷分为三类：化学缺陷、结构缺陷和电的缺陷 。 ①化学缺陷：存在于晶体中的异类原子（杂质或溶质原子）在晶体中呈间隙性 或置换型； ②结构缺陷：晶体中某些原子或离子不作规则排列，偏离或不在点阵位置上； ③电的缺陷：晶体中某些区域的电荷不作严格