新颖非晶半导体结晶技术开发以及其在光电元件之应用.PDF

行 精 類 行 年年 行 林 參易良 林 理 利 年 年 新穎非晶半導體結晶技術開發以及其在光電元件之應用 (I) The Development of Novel Crystallization Technology for Amorphous Semiconductor and Its Application to Optoelectronic Device (I) 計畫編號 ：NSC95-2221-E-036-046 執行期間 ：95 年8月 1日 至 96 年7月 31日 主持人：林烱暐 大同大學光電工程研究所 計畫參與人員 ：陳易良 、林書正、楊世豪 大同大學光電工程研究所 一、緣由與目的 屬薄板 與非晶矽薄膜疊放在一起圖( (一)(b)) 。 目前 非晶矽薄膜廣泛地在液晶平面顯示 將此堆疊結構置入快速升溫退火系統(RTA) 器上作為像素切換元件 ，然而過低的電子遷移 內 ，抽真空後通入氮氣進行快速升溫退火製程 率、低驅動電流以及元件信賴度不佳 ，限制非 圖( (一)(c)) 。退火製程 完成之後 ，將金屬薄板 晶矽薄膜 材料的應用範圍 。因此 ，而目前相關 移開即可獲得 多晶矽薄膜，如圖(一)(d)所示 。 應用的研究多改思考由微晶矽或多晶矽來取 代 [1-2]。其中 ，隨著 多晶矽材料持續研發 ， 如何在低 成本前提下於玻璃基板上形成高品 質 多晶矽薄膜成為熱烈討論的議題 。一般適用 於玻璃基板之結晶技術以準分子雷射退火再 結晶為主[3-4]。當脈衝式 (duration=30nS) (a) 先使非晶矽熔融後再結晶 ，即可獲得 大小約 0.3 μm之結晶粒 。不幸地 ，準分子雷射系統 輸出的不穩定將造成粗糙的結晶膜表面 。此 (b) 外 ，製程時間冗長以及維護系統的成本都是準 分子雷射結晶技術重要的缺點。 (c) 本研究計畫利用 金屬吸收輻射的特性將 輻射 光能量有效地轉換成熱量 ，並供給非晶矽 (d) 膜結晶 。利用快速升溫系統 ，即使在高溫環境 中也可以短的持溫時間 圖二( )迅速形成多晶 圖一 .結晶製程流程圖。 矽薄膜 。此方法能有效縮短製程時間 ，同時較 900