[计算机软件及应用]ch01半导体器件.ppt

1.1.1 半导体材料 典型的半导体材料 1.1.2 本征半导体 硅 14 —1s2，2s2，2p6，3s2，3p2 锗 32 —1s2，2s2，2p6，3s2，3p6，3d10， 4s2，4p2 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 (2)击穿的物理本质 （1）雪崩击穿：碰撞电离 （2）齐纳击穿：场致激发 （3）热击穿： PN结过热 5 PN结的电容特性 思考题 1.3.1 概述 三极管的构造核心：一块有两个相互联系的PN结单晶；又称晶体管或双极型三极管。 （3）共集电极接法，信号由基极输入，发射极输出，集电极作为公共电极，用CC表示; （2）共基极接法，信号由发射极输入，集电极输出，基极作为公共电极，用CB表示。 （1）共发射极接法，信号由基极输入，集电极输出，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 1.3.3 半导体三极管的基本组态与特性曲线 应用于电子线路中的晶体三极管，根据它的哪一个电极是输入与输出电路的公共电极，可以分为三种基本组态 两个条件 （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 IE=IB+ IC IC=βIB IC=αIE 无论是哪种连接方式，为了使晶体管具有放大作用，都必须使be结为正向偏压，cb结为反向偏压。即BJT的放大作用是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 一组公式 + - b c e 共射放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE 定义式：iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当VCE≥1V时，集电结进入反偏状态（∵ VCB= VCE–VBE 0）；集电结收集电子，使基区复合减少，达到相同的IB需要更大VBE，表现为特性曲线右移。这是正常使用状态 vCE = 0V vCE = 0V vCE ? 1V (1) 当VCE=0V时，相当于C和E短接，表现为PN结的正向伏安特性曲线。 1. 共发射极输入特性曲线 1.3.3 半导体三极管的基本组态与特性曲线 共发射极输入特性表示晶体管输入回路基极与发射极间电压uBE与基极电流iB之间的关系，即 ①死区 ②非线性区 ③线性区 (3) 输入特性曲线分为三个部分 1.3.3 半导体三极管的基本组态与特性曲线 饱和区：特征－IC明显受VCE控制该区域内，一般VCE＜0.7V(硅管)。即处于发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 定义式：iC=f(vCE)? iB=const 输出特性曲线的三个区域 截止区：特征－IC接近零 该区域相当iB=0的曲线下方。 此时，发射结反偏或正偏电压很小，集电结反偏。 放大区：特征－IC平行于VCE轴 该区域内，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 2. 共发射极输出特性曲线 1.3.3 半导体三极管的基本组态与特性曲线 (1)共发射极直流电流放大系数 =IC / IB ? ICE=const 1. 电流放大系数 1.3.4 BJT的主要电参数 ? =?IC/?IB?vCE=const 1.3.4 BJT的主要参数 (2) 共发射极交流电流放大系数? =IC/IE ? VCB=const (4) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当BJT工作于放大区时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。 1.3.4 BJT的主要参数 (3) 共基极直流电流放大系数 (2) 集射间反向饱和电流ICEO 基极开路时，晶体管的穿透电流。 (1) 集基间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 1.3.4 BJT的主要参数 2. 极间反向电流（补充） ICEO=（1+ ）ICBO ICEO 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 1.3.4 BJT的主要参数 （3）穿透电流在特性曲线上表现 (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM 注意：任何时候晶体管功耗 PC= ICVCE 3. 极限参数 1.3.4 BJT的主要参数 ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压 ? V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反向击穿电压 ? V(BR)CEO——基极开路时集射间的击穿电压，它与穿透电流直接联系 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(