[工学]一半导体器件与物理.ppt

? 半导体材料的晶格结构 ? 电子和空穴的概念 ? 半导体的电性能和导电机理 ? 载流子的漂移运动和扩散运动 ? 非平衡载流子的产生和复合 思考 既然半导体电子和空穴都能导电，而导体只有电子导电，为什么半导体的导电能力比导体差？ 半导体中的缺陷和缺陷能级 当半导体中的某些区域，晶格中的原子周期性排列被破坏时就形成了各种缺陷。 缺陷分为三类： ①点缺陷：如空位，间隙原子，替位原子； ②线缺陷：如位错； ③面缺陷：如层错等。 影响非平衡载流子寿命的因素 材料的种类 杂质的含量（特别是深能级杂质） 表面状态 缺陷的密度 外部条件（外界气氛） 一块均匀半导体，两端加以电压，在半导体内部就形成电场 电子带负电，空穴带正电，所以两者漂移运动的方向不同，电子反电场方向漂移，空穴沿电场方向漂移。 半导体中的导电作用应该是电子导电和空穴导电的总和。 un：电子迁移率 up：空穴迁移率 Jn：电子电流密度 Jp: 空穴电流密度 n：电子浓度 p：空穴浓度 总电流密度J 两式相比可以得到半导体的电导率 对于两种载流子浓度相差很悬殊而迁移率差别不太大的杂质半导体来说，它的电导率主要取决于多数载流子。 N型半导体 P型半导体 电导率与载流子浓度 和迁移率之间的关系 本征半导体 n0=p0=ni 半导体的电阻率可以用四探针直接测量读出，比较方便， 所以实际工作中常习惯用电阻率来讨论问题。 N型半导体 P型半导体 本征半导体 n0=p0=ni 在300K时， 本征硅的电阻率约为 2.3×105Ω·cm， 本征锗的电阻率约为 47Ω·cm。 能量在E→E+dE范围内的电子数（统计方法） 电子填充能级E的几率 N(E) 单位体积晶体中在能量E处的电子能级密度 能量为E的状态密度 能量无限小量 能量为E的电子状态密度（测不准关系） EC 导带底 h 普朗克常数 mn* 电子的有效质量 能量为E的空穴状态密度 mp* 空穴的有效质量 EV 价带顶 有效质量 晶体中的电子除了受到外力作用外，还受到晶格原子和其他电子的作用，为了把这些作用等效为晶体中的电子质量，所以引入有效质量的概念。（当电子在外力作用下运动时，它一方面受到外电场力的作用，同时还和半导体内部原子、电子相互作用着，电子的加速度应该是半导体内部势场和外电场作用的综合效果。但是要找出内部势场的具体形式并且求出加速度遇到一定的困难，引进有效质量后可使问题变得简单，直接把外力和电子的加速度联系起来，而内部势场的作用则由有效质量加以概括。特别是有效质量可以直接由试验测定，因而可以很方便地解决电子的运动规律。） 费米-狄拉克分布函数 量为E的一个量子态被一个电子占据的几率 E 电子能量 k0 玻耳兹曼常数 T 热力学温度 EF 费米能级 常数，大多数情况下，它的数值在半导体能带的禁带范围内，和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关。只要知道了EF的数值，在一定温度下，电子在各量子态上的统计分布就完全确定了。 费米-狄拉克分布函数的特性 当T=0K时， 若EEF，则f（E）=1 若EEF，则f（E）=0 绝对零度时，费米能级EF可看成量子态 是否被电子占据的一个界限。 当T0K时， 若E EF，则f（E）1/2 若E= EF，则f（E）=1/2 若E EF，则f（E）1/2 当系统的温度高于绝对零度时，如果量子态的能量比费米能级低，则该量子态被电子占据的几率大于百分之五十；若量子态的能量比费米能级高，则该量子态被电子占据的几率小于百分之五十。 因此，费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上是空的一个标志。 导带电子浓度 能量在E~E+dE范围内的导带电子浓度 导带范围内积分，就可以得到导带电子浓度n0。 积分上限扩展到∞，（导带电子主要集中在导带底附近，在导带顶或能量更高的区域，电子的分布几率已减小到接近于零）。 常温时k0T=0.026eV，Eg在1 eV 左右，EF在禁带中， 所以E-EF远大于k0T 导带电子浓度 导带的有效能级密度 式（1-6） 价带空穴浓度（同理） 价带的有效能级密度 式（1-7） n0、p0和EF 的关系 导带中电子浓度n0和价带中空穴浓度p0 随着温度T和费米能级EF的不同而变化。 ◆在一定温度下，由于半导体中所含杂质的类型和数量的不同，电子浓度n0及空穴浓度p0也将随之变化。 ◆在温度一定时，