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半导体器件和模型 半导体PN结 MOS器件 基本概念 阈值电压 I/V特性 二级效应 器件模型 本征半导体 特点 原子结构：是四价元素或III/Ⅴ族化合物 纯净、不参杂。具有晶格结构。 例： 电子的共有化 四价元素→ 形成四价键：原子的外围四个价电子和附近原子的价电子形成电子的共有化。 →形成半导体的能带：导带和价带。 本征载流子浓度 自由载流子： 热激发形成自由载流子 载流子的分布由费米能级和费米函数表示 本征载流子浓度： 室温下（300K） T ↑ , ↑。 T每升高11度，Ni 为原来的2倍。 参杂半导体 掺入三家获五价原子，提供一个载流子。 N型：掺入五价元素，如磷（P)、砷（As）， 提供一个电子，电子导电。 若：ND 是参杂浓度，D代表施主浓度 多子（电子）浓度： 少子（空穴）浓度： P型：掺入三价元素，如硼（B)， 提供一个空穴，空穴导电。 若：NA 是参杂浓度，A代表施主浓度 多子（空穴）浓度： 少子（电子）浓度： 掺杂半导体的费米势 N型半导体 P-N结 讨论P-N结反偏和耗尽区电容对了解寄生电容是十分重要的 假定P是重掺杂，N是轻掺杂。 空穴从P扩散到N区，留下固定的负电荷。在N区同样会留下固定的正电荷，在界面处建立了电场。 扩散电流 = 漂移电流 P-N结耗尽区 P-N结耗尽区 P-N结耗尽区 举例 举例 反向击穿 PN结的击穿电压是由耗尽区所能承受的最大电场Emax决定。 PN结电流－电压方程 MOS器件 特点： MOS器件是四端器件 一种载流子导电，是电压控制器件 MOS器件的源和漏端在几何上是等效的 有NMOS、PMOS两种器件 阈值电压 以NMOS为例：D和S接地 VG0， 空穴在硅表面积积累 0VGVTH 硅表面耗尽：表面只有固定的负 电荷 VGVTH 硅表面反型：自由电子吸引到硅表面 强反型条件： 栅极下硅表面反型层的载流子浓度 = 衬底掺杂浓度 理想的阈值电压 强反型条件：栅极下硅表面反型层的载流子浓度 = 衬底掺杂浓度 理想的阈值电压 例：氧化层厚度 实际的阈值电压 MOS晶体管的I-V特性 推导电流方程 以NMOS为例，源和衬底接地， MOS晶体管的I-V特性 MOS晶体管的I-V特性 沟道长度调制 当 时，沟道夹断点从漏极向源极移动，有效沟道长度下降，电流增加。 推导： 沟道长度调制 体效应 当衬底Vb相对源极Vs更负时，Qd增加，Vth增加。 亚阈值导电性 短沟道效应 MOS电容 不同工作区的MOS电容 MOS管交流小信号特性 MOS管交流小信号特性 MOS管交流小信号特性 MOS管交流小信号特性 MOS管交流小信号特性 SPICE（HSPICE）模型 LEVEL1 最简单，适合长沟道器件，均匀掺杂的预分析 LEVEL2 含详细的器件物理二级模型，但公式复杂，模拟效率低，小尺寸管符合不好。 LEVEL3 经验模型，公式简单。模拟效率高，精度同LEVEL2。小尺寸管精度不高。 BSIM1（LEVEL13，28） 经验模型，记入电参数对几何尺寸的依赖性。长沟道管（1um以上的器件）精度高。 SPICE（HSPICE）模型 BSIM2（LEVEL39） 与BSIM1形式基本相同 改进电流公式，L=0.25um以上的器件精度高。 在几何尺寸范围大时，必须分成几个几何尺寸范围，对应几套模型参数，每套参数适用于一个窄范围。 BSIM3 （LEVEL47、49） 基于物理模型，而不是经验公式。 在保持物理模型的基础上改进精度和计算效率，适用于不同的尺寸范围。 尽可能减少器件模型参数（BSIM2 60个，BSIM3 33个） 注意不同工作区域的连续性，以使电路模拟时收敛性好。 *基于MOS器件的准二维分析（记入几何和工艺参数） LEVEL1 模型 LEVEL1 模型 饱和区输出电导和输出电阻： 线性区输出电导和导通电阻： 输出电阻 导通电阻 * EC Ei Ev Eg EC Ei Ev Eg EF=e φF EF=e φF P型半导体 掺杂浓度 、 ， 重掺杂 轻掺杂 耗尽区 E Xn Xp PN结内建势 例： 耗尽区宽度： 当 耗尽区在轻掺杂一侧。 若 加反偏电压 耗尽区电荷和电容： 两种击穿机理： 齐纳击穿：隧道击穿，当PN结两边都是重掺杂时发生。 雪崩击穿：雪崩碰撞倍增。 电流方程： 饱和电流： 例：已知二极管参数，可以求得理论