晶圆键合在高性能MEMS功率器件和射频器件中的应用-半导体科技.PDF

封面故事 COVER STORY 键 合 晶圆键合在高性能MEMS、 功率器件和射频器件中的应用 聚焦MEMS，探讨晶圆键合近期的应用趋势和未来的发展方向 有器件和产品都是按照下述标 关内容进行阐释，回顾晶圆键合工艺 用更简单和成本更低的方式进行包 所准进行不同程度的评估的：1） 近期的应用趋势，并对未来的发展方 装。阳极键合和玻璃浆料键合是在 可靠有保障的供应能力，2）冷 向提出预测。 MEMS 上最先应用的键合工艺技术， 却要求，3）成本，4）集成性，5） 过去的二十年，博世集团（Bosch ） 实践证明其效果显著。然而，它们的 使用性，6）性能，7）功率要求，8） 研发的深反应离子刻蚀工艺（DRIE ） 前景也面临着挑战，采用这些键合工 可靠性，9）尺寸，和10）重量。过 及对准晶圆键合技术的发展极大地促 艺并没有给MEMS 产品和工艺带来 去十年，这些因素中的一些获得了重 进了MEMS 的市场增长。众所周知， 多少创新和发展。 要发展，同时带动MEMS 器件取得 大部分MEMS 器件拥有极其细小的、 阳极键合需要纳离子或其他碱 了爆炸性的增长。MEMS 制造业依靠 需要被保护以免遭外在环境影响的活 离子才能发挥作用，但这会带来几 最近五十年颇有发展的图像化、沉积 动元件。起初，MEMS 器件只能在晶 个问题。首先，在键合过程中钠离 和蚀刻工艺技术，实现了搭载最新的 圆级芯片特殊封装中得以实现，成本 子被推向晶圆表面，并在键合工具 对准晶圆键合技术和深反应离子刻蚀 较为高昂。而采用晶圆级封顶（Wafer- 上积聚，键合工具因而需要定期清 工艺（DRIE ）的集成电路（IC ）的 level capping ）的MEMS 器件，只需 理。其次，MEMS 和CMOS 通过阳 生产制造。本文将主要对MEMS 、射 通过一次操作即可完成晶圆封装，这 极键合工艺进行结合，钠离子会阻 频器件和功率器件晶圆键合工艺的有 些封顶的MEMS 器件在之后可以使 止该键合过程，导致CMOS 电路故 障。几乎所有的MEMS 设备都需要 键合线和芯片面积所占晶圆表面百分比 CMOS 专用集成电路来处理MEMS 输出信号。过去，这一过程通常在 封装级引线键合中完成，但如今， 比 分 百 积 面 总 圆 晶 占 所 线 合 键 在一些高容量产品的生产中，CMOS 与MEMS 的集成则是在晶圆级封装 过程中得以实现。另外，通常情况 下阳极键合需要超过400˚C 的最大 加工温度和强大的电磁场。这种高