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[信息与通信]光电传感器
§1??光电子发射型传感器 §2? 光电导型传感器 §3 光生伏特型传感器 §4 半导体色敏及位置传感器 §1 ?? 光电子发射型传感器 光电子发射效应又称外光电效应。它是指金属或半导体材料在光的照射下,光电子逸出金属或半导体表面的现象。 1887年由德国人赫芝首先发现的。 基于光电子发射效应的光电器件(或传感器)有: 光电管、光电倍增管等。??? 光电子发射产生在材料表面或表面附近的体内的区域内(nm-um)。 光子是具有能量E=hν的粒子。 当金属中的电子吸收了入射光子的能只时,若足以克服表面束缚,那么电子就会逸出金属表面,产生光电子发射,逸出的光电子动能(称为爱因斯坦光电效应方程)为:?????? (1)当入射光的频率低于某一频率(称为红限频率,或阈值频率)时、不论光强的强弱,照射时间的长短,均无光电子产生。 (2)光电子的初动能只与入射光的频率有关,而与入射光强度无关。 (3)光电流的大小与入射光的强度成正比。 (4)从光照开始到光电子被释放出来,时间小于10-9s。 表征一个电子从金属或半导体表面逸出所需能量的大小。 其值与材料有关, 还与材料表面状态有关。 §1 ?? 光电子发射型传感器 二、光电倍增管的工作原理??? 光电倍增管是一种真空光电器件,它主要由光入射窗、光电阴极、电子光学系统、倍增极和阳极组成,如图。 §1 ?? 光电子发射型传感器 二、光电倍增管的工作原理??? (1)光子透过入射窗口入射在光电阴极K上 (2)光电阴极的电子受光子激发离开表面发射到真空中 (3)光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增极D1上,倍增极将发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经N级倍增板倍增后,光电子就放大N次。 (4)经过倍增后的二次电子由阳极P收集起来,形成阳极光电流,在负载RL上产生信号电压。 光电倍增管的工作原理如图。 §1 ?? 光电子发射型传感器 1、入射窗口和光电阴极 光电倍增管的短波灵敏度一般受窗口材料限制。 常用的窗口材料:硼硅玻璃、透紫外玻璃、熔融石英(熔融二氧化硅)、蓝宝石、MgF2 。图是常用几种窗口材料的光谱透射比曲线。 ?????? 1、入射窗口和光电阴极 光电倍增管通常有侧窗和端窗两种形式。如图。 侧窗型:通过管壳的侧面接收入射光, 端窗式:通过管壳的端面接收入射光。 1、入射窗口和光电阴极 侧窗式光电倍增管一般采用反射式光电阴极,而且多采用鼠笼式倍增极结构,如图(a)所示。这种型式广泛应用在分光光度计和光度测量中。 端窗式光电倍培管通常使用半透明光电阴极,光电阴极材料沉积在入射窗的内侧面,如图(b)所示。 2、电子光学系统 主要有两方面的作用: 一是使光电阴极发射的光电子尽可能全部会聚到第一倍增极上,而将其它部分的杂散热电子散射掉,提高信噪比,一般用电子收集率ε0表示。 二是使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中渡跃时间尽可能相等,以保证光电倍增管的快速响应.常用渡越时间的离散性Δt表示。??? 几种典型的结构如图所示。 2、电子光学系统 图(a)是最简单的电子光学系统,1是光电阴极,2是与光电阴极同电位的金属筒或镀在玻壳上的金属导电层,3是带孔膜片,4是第一 倍增极。当阴极与第一倍增极之间加上电压后,形成的电场能很好地把来自光电阴极的光电子会聚成束,并通过膜孔打到第一倍增极上。它的收集效率在85%以上,渡越时间的离散性约10ns。 图(b)中增加了斜劈式圆柱筒电极4,该电极固定在偏心的带孔膜上,这种结构的性能与前者相近。但有利于小型光电倍增管的倍增极合理安排,充分利用玻璃管内的空间。 图(c)是性能较好的一种结构,它采用了球面形光电阴极,并附加了3个圆筒形电极,此时,阴极表面电位比较均匀,而且从阴极中心和边缘发射的电子的轨迹长度相差甚小,可使渡越时间的离散性接近于零。 3、电子倍增极 (1)二次电子发射 ?????? 有足够动能的电子轰击某些材料时,材料表面将发射新的电子的现象称为二次电子发射。 ??? ??? 轰击材料的入射电子称为一次电子,?? ?? 从材料表面发射出的电子称为二次电子。 ??? ? 不同材料的二次电子发射能力是不一样的。 二次发射的电子数N2与入射的一次电子数N1的比值定义为该材料的二次发射系数: σ =N2/N1 3、电子倍增极 (1)二次电子发射解释: ? 材料吸收一次电子的能量,激发体内电子到高能态,这些被激电子称为内二次电子。 内二次电子向表面移动,在运动过程中因散射而损失能量。 如果到达表面的二次电子仍有足够的能量克服表面势垒,即可逸出表面发射。??? 3、电子倍增极 (1)二次电子发射: 材料
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