[信息与通信]半导体器件物理三.pptVIP

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  • 2018-02-17 发布于浙江
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[信息与通信]半导体器件物理三

第六章 渡越时间器件(TTD) (1)IMPATTD的工作原理 基本结构:Read二极管结构(p+-n-i-n+) . 工作条件: 外加直流反向电压V ( V VB ); n和i区全部耗尽;0 ~ xA为雪崩区; xA ~ W为漂移区。 起振过程: 雪崩击穿(产生载流子, 电压?) ?电子渡越漂移区 ?电子 到达阳(输出电流脉冲) ?电压?, 再一次击穿 ?[ 重复以上过程 ]。 电压、电流波形? (下图) * 输出电流( J ) 的波形: J 比Ja 落后相位(渡越延迟) = ? ?d / 2 = ? f w / vs ? ?d / 2 , ( 渡越角?d = ? ?d = 2 ? f w / vs . ) Ja 比 J 初相落后 ? = ? (称为注入初相),则 Ja = J e - j? . J 比 V 落后的总相位 = 注入延迟? / 2 + 渡越延迟?d / 2 . * 理想振荡频率 f : 在理想振荡情况下,J 与 V 反相: ? / 2 + ?d / 2 = ? ,

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